本发明公开了一种固态储能电池，包括两个极板；固态离子导电层，所述固态离子导电层置于两个所述极板之间；当两个所述极板的外加电压大于特定值时，所述固态离子导电层靠近两个所述极板的部分与该对应极板共同形成扩散型电气二重层；所述固态离子导电层采...

本发明公开了一种固态储能单元，其特征在于：包括两个极板；两层薄层，两层所述薄层分别附着在两个所述极板的相对侧面上，所述薄层为多孔构造；固态离子导电层，所述固态离子导电层置于两层所述薄层之间。本发明利用固态储能代替液态储能，同时能够藏储锂...

本实用新型公开了一种光伏电池片及光伏组件，其中光伏电池片包括基板，硅片，所述硅片与所述基板为一体式；所述硅片的晶向方向为所述基板的法线方向。本实用新型基板是和硅片一体，基板是电池片不可分割的一部分，能够切割成任意形状，且满足厚度要求。且...

本实用新型公开了一种硅片的生产设备，包括依次设置的初始存放部分R1、检测部分R2、硅片形成部分R3、退火部分R4、pn结形成部分R5、缓冲部分R6，以及设置于相邻部分之间的输送机构，每一个部分均包括一腔体，每一个所述腔体的入口端和出口端...

本实用新型公开了一种光伏组件，包括一电池组件以及设于所述电池组件上方的透镜，所述透镜为菲涅尔透镜，所述透镜上设有支架以及设于所述支架上的增透膜；所述电池组件距离所述透镜的长度与所述透镜距离所述透镜的焦点的长度之比为1/5～2/3。本实用...

本发明公开了一种硅片的生产设备，包括依次设置的初始存放部分R1、检测部分R2、硅片形成部分R3、退火部分R4、pn结形成部分R5、缓冲部分R6，以及设置于相邻部分之间的输送机构，每一个部分均包括一腔体，每一个所述腔体的入口端和出口端均设...

本发明公开了一种光伏电池基板，该光伏电池基板包括：主体层，所述主体层为硅基材料；三氧化二铝层，所述三氧化二铝层覆于主体层的表面；以及若干贯穿所述主体层和三氧化二铝层的孔。与现有技术相比，本发明的基板可短时间内耐1500℃的高温，在‑50...

本发明公开了一种电池片制备方法，包括以下步骤，制备基板：将含硅材料粉末和/或硅化合物粉末混合后预成型，在成型板上涂覆三氧化二铝形成所述基板；在所述基板上制备硅片：向所述基板上注入液态硅，然后旋转所述基板使得所述液态硅分散开形成一层薄膜；...

本发明公开了一种硅片的生产方法及利用该方法生产的硅片和太阳能电池，包括以下步骤：(1)基板存放；(2)基板检测；(3)制作薄硅片；(4)基板薄硅片退火；(5)基板硅片的p型或n型扩散；(6)形成pn结的基板硅片退火。利用本发明的方法能够...

本发明公开了一种铸造纵列多结光伏电池，该光伏电池包括：电池基板，所述电池基板具有若干贯穿孔；晶硅pn结；禁带宽度为1.5～2.5eV的第二pn结，所述晶硅pn结位于所述电池基板与所述第二pn结之间；背面电极，所述背面电极通过填充在所述电...

本实用新型公开了一种铸锭单晶硅或多晶硅中可重复利用的石墨坩埚，包括底板，所述底板包括一上侧面；两个第一竖板，两个所述第一竖板设于所述上侧面的两个相对侧边上；两个第二竖板，两个所述第二竖板设于所述上侧面的另外两个相对侧边上；若干个冷却构件...

本发明公开了一种铸锭单晶硅或多晶硅中可重复利用的石墨坩埚，包括底板，所述底板包括一上侧面；两个第一竖板，两个所述第一竖板设于所述上侧面的两个相对侧边上；两个第二竖板，两个所述第二竖板设于所述上侧面的另外两个相对侧边上；若干个冷却构件，设...

本发明公开了光伏产业链可回收硅料再生提纯工艺，对光伏产业链可回收硅料进行再生提纯，得到符合太阳能级标准的硅料，该工艺包括：（1）分类清洗，（2）熔炼除杂，（3）真空溢留除杂，（4）产品分类步骤。该工艺具有环保、简单、节能、低成本的特点，...

本实用新型公开了一种具有高导电性的太阳能电池片，包括太阳能电池片基底材料和主栅线，所述太阳能电池片基底材料上印刷银副栅线，所述主栅线为覆盖在太阳能电池片基底材料上的透明合金晶体膜，与所述银副栅线位于太阳能电池片基底材料的同一面上，方向与...

本发明公开了一种新型导电浆料，该浆料由包括氧化钒、氧化锡的混合粉体加入分散剂制备得到，并提供了用其制备太阳能电池片主栅线的方法。以本发明导电浆料得到的太阳能电池片主栅线的合金晶体膜透明，不遮挡电池片的光线，能够提高太阳能电池片的效率；导...

本实用新型公开了一种钛提纯装置，包括提纯包、高压高温惰性气体装置、加热装置和排气管道，提纯包为封闭罐体结构，其内设有坩埚，坩埚与提纯包之间填充有保温材料，该保温材料中埋设有冷却装置；高压高温惰性气体装置出口穿设提纯包底部、保温材料与坩埚...

本发明公开了一种钛提纯装置，包括提纯包、高压高温惰性气体装置、加热装置和排气管道，提纯包为封闭罐体结构，其内设有坩埚，坩埚与提纯包之间填充有保温材料，该保温材料中埋设有冷却装置；高压高温惰性气体装置出口穿设提纯包底部、保温材料与坩埚底部...

本发明涉及一种离子注入法制作大面积硅基太阳能电池ｐ－ｎ结的工艺，步骤如下：１）取３－４Ｎ多晶硅为衬底并清洁；２）在氩气保护的密闭环境中进行蘸片；３）蘸片取出后退火冷却到室温；４）采用磷烷作离子源电离物质，将聚焦离子束注入蘸片后的大面积ｐ...

本发明涉及一种新一代硅基太阳能电池制作方法，步骤如下：１）取３－４Ｎ多晶硅为衬底并清洁；２）在氩气保护的密闭环境中进行蘸片，衬底表面形成ｐ型第一半导体层；３）蘸片取出后分阶段退火冷却到室温，在高温条件下用ＰＯＣｌ３作扩散源进行扩散制结；...

本发明涉及新一代硅基太阳能电池ｐ－ｎ结的制作工艺，步骤如下：１）取３－４Ｎ多晶硅为衬底并清洁；２）在氩气保护的密闭环境中进行蘸片；３）蘸片取出后分阶段退火冷却到室温，在室温条件下用滚筒在ｐ型层上涂上一层活性的或非活性的磷源，再进行干燥处...