成像装置(100，200)包括被配置为将入射光子转换为电荷载流子的感光介质(302)。偏压电极(304)覆盖该感光介质并向该感光介质施加偏压电势。一个或多个像素电路(306)形成在半导体基板上。每个像素电路限定相应像素(300)并包括第...

成像装置(100，200，300)包括感光介质(302)，所述感光介质被配置为将入射光子转换为电子和空穴对。像素电路(304)阵列形成于半导体衬底(305)上。每个像素电路限定相应的像素并包括在像素中的第一位置处与感光介质接触的电子收集...

成像装置(2000，2100，2200)包括光敏介质(2004，2204)和像素电路阵列(302)，该像素电路阵列(302)以规则网格布置在半导体基板(2002)上并限定装置的相应像素(2006，2106)。像素电极(2012，2112...

本发明提供了成像装置(100,200,1200)，所述成像装置包括半导体基板(312)和像素电路(1202,1204)的阵列(202)，所述像素电路阵列在所述半导体基板上被布置成矩阵形式并且限定所述装置的相应像素(212)。像素电极(1...

本发明在各种实施方案中公开了一种图像传感器以及所述图像传感器的相关操作方法。在一个实施方案中，图像传感器包括至少一个像素。所述至少一个像素包括晶体管以将溢流电容器耦接至浮动扩散节点。在低光照条件下，光电荷将被收集在浮动扩散中，但是基本上...

在各种实施方案中，本发明公开了图像传感器和相关方法。在实施方案中，图像传感器包括光学敏感材料和包括与光学敏感材料电连通的感测节点的像素电路。像素电路在集成周期期间存储与入射在光学敏感材料上的光强度成比例的电信号。像素电路包括与光学敏感材...

本发明的各种实施方案包括图像传感器，所述图像传感器提供具有集成电路、第一电荷提取层、光敏层和第二空穴提取层的全局电子快门。在第一模式(所述“开启”模式)下，经由所述第一电荷提取层提取电子。在第二模式(所述“关闭”模式)下，所述空穴的提取...

本发明公开了一种电子设备。在各种实施方案中，电子设备包括例如至少一个光敏层和至少一个载流子选择层。在设备的一个偏压范围下，该光敏层在被照明时产生光电流。在设备的另一个偏压范围下，该光敏层在被照明时不产生光电流。载流子选择层扩大了光敏层在...

本发明公开了各种实施方案，在所述各种实施方案中，具有扩展的动态范围的电子图像传感器包括例如像素电路和列读出电路。列读出电路包括例如相关双采样(CDS)电容器、一个或多个CDS钳位开关、单斜率模数转换器(ADC)电路和列存储器。公开了其他...

本发明提供了一种成像装置，包括：图像传感器，包括像素的阵列，所述像素被配置为响应于在所述像素的从可见波长延伸到至少1600nm的灵敏度范围上入射到所述像素的光而输出信号；滤光器，其被放置以阻挡从超过700nm到至少1400nm的阻带中的...

在各种实施例中，公开了用于相位检测自动聚焦设备的方法、技术和有关装置。在一个实施例中，一种相位检测系统包括形成在第一像素上面的第一滤色器和邻近第一像素形成的第二像素，其中第二滤色器被形成在第二像素上面。该第二滤色器具有与第一滤色器的颜色...

本发明提供一种光电检测器以及相应的材料、系统和方法。描述了一种光电检测器以及相应的材料、系统及方法。所述光电检测器包括集成电路及至少两个光敏层。第一光敏层在所述集成电路的至少部分上,并且第二光敏层在所述第一光敏层上。每个光敏层插置在两个...

各种实施例包括包含光传感器的设备和方法。光传感器包括：第一电极；第二电极；第三电极；和光吸收半导体，与第一电极、第二电极和第三电极中的每个电极电气连通。用于基本上衰减入射到光吸收半导体的一部分上的光的光模糊材料被设置在第二电极和第三电极...

在各个示例性实施例中，提供一种成像系统和方法。在一个实施例中，所述系统包括第一图像传感器阵列、用以将第一图像投影在第一图像传感器阵列上的第一光学系统，所述第一光学系统具有第一缩放水平。第二光学系统用以将第二图像投影在第二图像传感器阵列上...

各种实施例包括包含光传感器的设备和方法。光传感器包括第一电极、第二电极、第三电极以及与第一电极、第二电极和第三电极中的每一个电连通的吸光半导体。用以显著衰减在吸光半导体的部分上的入射光的吸光材料被设置在第二电极与第三电极之间。电偏置被施...

描述了一种光电检测器以及相应的材料、系统及方法。所述光电检测器包括集成电路及至少两个光敏层。第一光敏层在所述集成电路的至少部分上，并且第二光敏层在所述第一光敏层上。每个光敏层插置在两个电极之间。所述两个电极包括相应的第一电极及相应的第二...