本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；沟道层；第一势垒层；介质层，位于第一势垒层远离衬底的一侧；接触沟槽，包括沿衬底厚度方向相互连通的第一子槽和第二子槽，第一子槽贯穿介质层以及第一势垒层，...

本申请涉及半导体电子器件技术领域，公开了一种半导体装置。半导体装置包括：衬底，具有第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域一侧；双向HEMT，设置于第一区域，双向HEMT包括第一源极和第二源极，双向HEMT在工作状态下被配置为第一源极、...

本发明实施例提供了一种半导体器件及制备方法。半导体器件包括：沟道层设置于衬底结构的一侧；势垒层设置于沟道层远离衬底结构的一侧；应变层设置于势垒层远离沟道层的一侧；应变层设置有源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽；源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底结构；沟道层，沟道层设置于衬底结构的一侧；势垒层，势垒层设置于沟道层远离衬底结构的一侧；应变层，应变层设置于势垒层远离沟道层的一侧；应变层设置有源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽；...