一种超声传感器包括：超声换能器的二维阵列、接触层、二维阵列和接触层之间的匹配层，其中匹配层具有不均匀的厚度；以及阵列控制器，该阵列控制器被配置成在对超声换能器的二维阵列内的多个像素进行成像的成像操作期间控制超声换能器的激活。在成像操作期...

一种超声波换能器设备，其包括基底、被连接到基底的边缘支撑结构、以及被连接到边缘支撑结构的膜，使得在膜和基底之间限定空腔，该膜被配置为允许以超声波频率移动。该膜包括：具有第一表面和第二表面的第一压电层；具有第一表面和第二表面的第二压电层，...

本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的装置及方法。上述装置包含：包括第一嵌入电极与第二嵌入电极的第一导电层；包括第三嵌入电极的第二导电层；连接至第一嵌入电极的第一时变电压源；连接至第二嵌入电极的第二时变电压源，其中第一时变电压...

一种用于降低传感器的封装应力灵敏度的设备，包括：一个或更多个用于附接到基底的锚定点；刚性框架结构，其被配置为至少部分地支撑传感器；和在每个锚定点和刚性框架结构之间的柔顺元件。还公开了一种用于支撑微机电(MEMS)传感器的设备，该设备包括...

本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的系统及方法。在具体实施例中，一种方法，其包括：施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个；感测一个或多个第二电极与所述半导体装置的第二导电层关联的电气性质，以...

在第一方面，角速率传感器包括基板和锚定到基板的旋转结构。角速率传感器还包括锚定到基板上的驱动质量块和将所述驱动质量块与所述旋转结构联接的元件。所述角速率传感器还包括用于驱动所述驱动质量块沿着与所述基板共面的第一轴线振动并且用于驱动所述旋...

本公开内容公开用以于微机电系统中提供吸气剂的系统与方法。在一些实施例中，微机电系统(MEMS)被接合至基底。所述MEMS及所述基底之间具有第一空腔及第二空腔。第一吸气剂被提供于所述第一空腔中所述基底上，且与电极被整合。第二吸气剂被提供于...

本申请提供一种使用化学和热感测来检测环境中的气体的系统和方法。在一个实施例中，一种方法包括将嵌入在传感器像素内的化学电阻器暴露于环境中的气体；将嵌入在传感器像素内的加热器设定为感测温度，所述感测温度大于室温；响应于将加热器设定为感测温度...

本申请提供一种用于微机电系统传感器的多路径信号处理。例示性的微机电系统传感器器件可包括单一微机电系统传感器组件以及相关的集成电路，其可便于发生主机系统所要求的多个具有不同电气特性的输出信号。通过在自所述单一微机电系统传感器组件的单一共享...

本申请涉及用于减小非线性运动的构型。其中，披露了用于修改弹簧质量构型的多个实施例，这些实施例将不想要的非线性运动对MEMS传感器的影响最小化。这些修改包括以下任何各项中的任一项或任何组合：在该弹簧质量构型的多个旋转结构之间提供一个刚性元...

本发明提供一种集成微机电系统(MEMS)声学传感器装置。集成MEMS声学传感器装置可包括MEMS声学传感器元件和位于与MEMS声学传感器元件相关联的后腔内的压力传感器。集成MEMS声学传感器装置可包括适于接收声波或压力的端口。制造方法也...

本发明涉及一种电子设备，其包括被布置成二维阵列的多个CMOS控制元件，其中，所述多个CMOS控制元件中的每个CMOS控制元件都包括两个半导体器件。所述多个CMOS控制元件包括第一CMOS控制元件子集和第二CMOS控制元件子集，第一CMO...

在操作二维超声换能器阵列的方法中，定义了二维超声换能器阵列的包括多个超声换能器的多个阵列位置，多个阵列位置各自包括二维超声换能器阵列的一部分超声换能器。针对多个阵列位置中的每个阵列位置，激活与相应阵列位置相关联的多个超声换能器。激活包括...

在用于操作包括多个超声换能器的指纹传感器的方法中，致动指纹传感器的第一超声换能器子集，第一超声换能器子集用于检测对象与指纹传感器之间的交互。在检测到对象与指纹传感器之间的交互之后，致动指纹传感器的第二超声换能器子集，第二超声换能器子集用...

本发明涉及一种压电式微加工超声换能器(PMUT)装置。PMUT包括基板和连接至该基板的边缘支承结构。膜连接至该边缘支承结构，使得在该膜与该基板之间限定有腔，其中，该膜被配置成能够以超声频率移动。该膜包括压电层和耦接至该压电层的相对侧的第...

在用于超声换能器二维阵列的发射波束成形的方法中，定义了用以应用于超声换能器二维阵列的波束成形空间的波束成形图案。波束成形空间包括多个元件，其中，波束成形空间的每个元件对应于超声换能器二维阵列的超声换能器，其中，波束成形图案识别出波束成形...

本发明描述了微机电系统(MEMS)传感器和相关的偏置电压技术。示例性MEMS传感器，诸如本文描述的示例性MEMS声学传感器或麦克风，可以采用一个或多个偏置电压发生器和单端或差分放大器布置。所描述的各种实施例可以有效地增加传感器元件可用的...

本发明提供了一种超声传感器，该超声传感器包括二维超声换能器阵列，该二维超声换能器阵列包括多个超声换能器子阵列，其中，多个超声换能器子阵列中的一超声换能器子阵列是能够独立控制的，并且其中，超声换能器子阵列具有相关联的接收通道。多个移位寄存...

本公开提出一种微机电系统传感器装置，所述传感器装置包括微机电系统(MEMS)层，MEMS层包括：致动器层、覆盖层以及面外感测组件，其中所述致动器层的一部分通过电介质耦接至所述覆盖层，所述面外感测组件设置在所述致动器层和所述覆盖层之间，其...

本文给出了具有温度均匀性的气体传感器装置。在一个实施方式中，装置包括互补金属氧化物半导体(CMOS)衬底层、介电层和气体传感层。介电层沉积在CMOS衬底层上。此外，介电层包括温度传感器和耦合到传热层的加热元件，所述传热层与一组金属互连相...