本申请涉及一种半导体阵列及其制作方法、三维存储器及电子设备，涉及集成电路领域。半导体阵列包括：选通电路层，包括多个晶体管，晶体管与其相邻的另一晶体管共用漏极；多个存储列，对应多个晶体管设置，存储列包括沿列方向设置的多个存储单元；多个第一...

本申请涉及一种无源选通器件及其制备方法、电子器件，涉及集成电路领域。无源选通器件包括依次层叠的底电极、功能层、第一界面层和顶电极；顶电极的厚度大于底电极的厚度；第一界面层的热导率在0.01W/cm·K‑15W/cm·K之间。第一界面层调...

本申请涉及一种阈值转变器件及其制作方法、电子设备，阈值转变器件在阈值转变功能层与其相邻的膜层之间增设氧阻挡层，一方面，氧阻挡层阻挡阈值转变功能层中的氧成分向外部扩散，维持阈值转变功能层的氧含量稳定，避免因氧空位增加导致的电导率波动或阈值...