本发明公开了水稻Os04g0650800基因启动子及其应用，属于植物生物技术领域，通过克隆Os04g0650800基因的启动子序列，成功构建了该基因的启动子驱动黄色荧光蛋白基因重组表达载体pPGDH‑YFP。通过农杆菌侵染日本晴水稻，筛...

本发明公开了计算机视觉技术领域内的一种基于l<subgt;0</subgt;范数更稀疏约束的Fisher判别字典学习方法，包括：首先将预先提取的数据集特征划分为训练集和测试集，并使用训练集完成字典和编码系数的初始化；然后，基...

本发明公开了一种呼吸道合胞病毒融合前F蛋白及其应用，所述融合前F蛋白是经过氨基酸突变修饰的呼吸道合胞病毒融合前F重组蛋白，突变修饰方式选自以下方式中的任意一种：(1)在野生型融合前F蛋白全长序列基础上进行氨基酸点突变；(2)先将野生型融...

本技术涉及标识牌技术领域，公开了一种景区用旅游项目标识牌，包括主体组件，包括安装板、支撑杆以及指示件，支撑杆固定于安装板顶部，指示件位于支撑杆表面；以及，调节组件，设置于支撑杆内，包括驱动件和限位件，驱动件和限位件均设置于支撑杆内。本技...

本发明公开了一种无人化水田开沟机，包括，行走组件，包括行走机架，行走机架的左右两侧分别固定有固定支架；开沟组件，包括分别连接在固定支架上的开沟器，所述开沟器具有朝上的方便调节开沟器配重的安装口，所述开沟器上侧排布有若干立杆，立杆的上侧活...

本方案一种进水流道冲淤装置，包括泵站，还包括泵站内设有的流道，所述流道一侧设有进水流道、流道另一侧设有出水流道、流道内设有主水泵所述主水泵设于进水流道和出水流道之间，所述出水流道内且设在主水泵下方有弯肘，所述泵站顶部一侧滑动连接于壳体，...

本发明公开了一种基于深度学习的热带气旋最大持续风速预测方法，包括1）采集热带气旋的最大持续风速数据；2）将数据分为训练集和测试集；3）将训练集输入一维卷积神经网络训练；4）将一维卷积神经网络输出的特征数据输入长短期记忆神经网络中训练；5...

本技术公开了一种太阳能电池板的边框组件，涉及太阳能电池板技术领域，应用于太阳能板，包括第一矩形框以及第二矩形框，第一矩形框以及第二矩形框内部分别开设有第一矩形槽以及第二矩形槽，第一矩形框底端设置有定位柱，第二矩形框上端设置有定位孔，第一...

本发明公开了一种双通道成像与光谱测量系统,物镜连接将成像光路中的光线分成透射光和反射光的分光棱镜，反射光路的方向连接采集反射光获得目标场景图像的相机；透射光路的方向顺次连接将目标光路继续向后传递的空间光调制器、将空间光调制器的靶面完全缩...

本发明公开了图像处理技术领域内的一种基于自适应正则化字典学习的图像分类方法，初始化字典、权重约束矩阵、样本编码及SVM参数，构建一个包含自适应编码惩罚项与SVM引导项的编码优化模型，利用这些项形成新的数据特征矩阵与字典；使用块正交匹配追...

本发明属于分子遗传学领域，具体涉及一个调控大麦耐湿性的乙烯响应转录因子HvERF62及其在分子标记辅助选择育种中的应用。本发明通过全基因组关联分析鉴定到一个显著影响大麦耐湿性的位点并预测了候选基因，进一步采用CRISPR‑Cas9基因编...

本发明公开一种乳酸菌基因完全敲除缺陷型的选择计数方法，设计待计数菌体基因敲除区域嵌套引物，以待计数菌体基因敲除缺陷型的DNA为模板扩增特异性片段，构建缺陷型菌株计数载体，绘制缺陷型菌株标准曲线；在缺陷型缺失基因内设计野生型计数引物，构建...

本技术涉及喷施农药装置技术领域，公开了一种用于水稻大棚内的高效电动喷施农药装置，包括主体组件，包括板车、药箱、电泵以及把手，药箱位于板车顶部，电泵设置于药箱一侧，把手固定于板车上；以及，供电组件，设置于板车顶部，包括定位件、电源、夹持件...

本技术涉及微藻培养技术领域，尤其为一种微藻培养采收装置，包括固定架、用于藻类培养的光生物反应器、太阳能板、培养光源、用于对光生物反应器内壁藻类进行采集的藻类采收组件和用于对藻类采收组件进行驱动的采收驱动组件，藻类采收组件包括有采收海绵、...

本发明公开了一种能够提高小麦赤霉病抗病能力的基因TaNAE及其应用，包括，TaNAE基因是抗病品种苏麦3号特异表达的一个基因。将该基因通过构建过表达载体，借助农杆菌侵染的方法将该基因导入推广品种Fielder中，获得稳定转基因植株，在获...

本技术公开了一种生物试管夹持装置，包括底座；固定杆，固定杆的底端与底座的顶部固定连接；连接架，连接架设置在底座的上方；试管底托，试管底托的安装在连接架的底部；夹持组件，夹持组件包括夹持机构、螺纹杆、螺栓，夹持机构的数量为两个，一个夹持机...

本发明提供一种双沟道非对称沟槽型碳化硅MOS器件及制备方法，该制备方法包括在SiC衬底和缓冲层上方生长外延层，以及在该外延层表面形成电流扩展层和对称的P<supgt;+</supgt;阱区；以及依次形成P‑base区、N‑p...

本发明公开了一种基于对称性分裂栅结构的沟槽型SiC MOSFET器件及制备方法，本发明设计的沟槽型SiC MOSFET器件中，设计倒T型P+屏蔽层实现P+屏蔽层与源极的直接接触，同时设计上下左右对称的分裂栅结构，减少栅极与漏极的交叠面积...

本发明公开了一种源极沟槽侧壁集成SBD的SiC MOSFET及制备方法，该制备方法包括在外延层表面形成N埋层和对称的P屏蔽层，继续生长外延层，并在外延层上表面依次生成CSL层、Pwell区和N+区；刻蚀形成源极沟槽和栅极沟槽，其中栅极沟...

本发明属于新能源发电技术领域，公开了一种城镇低矮建筑屋顶风光聚能装置，包括固定组件，固定组件上设置有风力发电组件和太阳能发电组件，风力发电组件与太阳能发电组件传动连接；太阳能发电组件包括套设固接在固定组件上的环形座，环形座上转动连接有调...