本发明涉及一种二极管及其制造方法，所述二极管包括：第一导电类型的衬底，形成于衬底内的第二导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层，互相交替层叠生长于衬底之上的第二导电类型的第一外延层和第一导电类型的第二外延层，贯穿第一外延层和第二外延...

本发明提供了一种功率器件及其制作方法，所述功率器件的制作方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底下表面形成延伸至所述衬底内的第一沟槽，所述第一沟槽自所述衬底下表面延伸至所述衬底内的方向上宽度递减；在所述衬底上表面生长形成第一导电类型...