本发明涉及一种以SiC晶片作为一级热沉的单发射腔半导体激光器。包括一级热沉，Au-Sn焊层电极(正负极)，激光器芯片，连接金线，次级铜热沉以及改进的F封装结构。本发明特色在于与芯片直接接触的一级热沉采用SiC晶片，其热胀系数与芯片衬底材...

本发明涉及一种基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器。包括N电极，SiC衬底，N型DBR、有源区、氧化限制层，P型DBR、SiC(电极+窗口+热沉)、SiO2掩模，焊料。本发明特色在于采用倒装顶发射结构。出光窗口制作在P型DBR上...

本发明涉及一种用于侧面泵浦高平均功率激光晶体棒的微细尺度相变冷却集成化系统，主要包括激光晶体圆棒、石英玻璃套管、环形蒸发空间、两端的密封端帽、储液室、流体分布控制元件、蒸汽管路、冷凝液回流管路、微沟槽冷凝器、薄膜温度传感器、控制线路、系...