本申请实施例提供了一种充放电控制电路及电子设备，本申请实施例在两个相互并联的电源之间设置一控制电路，所述控制电路可以根据电源充电情况进行充放电平衡调节，克服了现有技术中由于寄生导致的充放电不均衡的问题。技术中由于寄生导致的充放电不均衡的...

本发明实施例提供了一种适用于充电芯片的路径管理系统及方法，在负载电流Iload变化过程中，利用电流控制环路和电压控制环路依次对第四功率管开关Q4进行控制，通过电流控制环路将充电电流Ichg维持至充电参考电流Ichg_reg，通过电压控制...

本申请实施例提供一种应用于开关型充电芯片的负载采样电路和电子产品，本申请通过在采样电路内部设置电流采集电路进行采样充电终端的电流，所有采样电路均在芯片内部实现，不依赖外围电路，也不需要额外增加芯片引脚，方案所需面积合理，通过本申请实施例...

本发明实施例提供了一种加快DC

本发明实施例提供了一种多电源选择稳压电路，所述电路包括：至少两个预稳压电路，一输入源检测电路和一电源选择电路；所述预稳压电路均与第一电源一一对应连接，通过所述预稳压电路将第一电源输入的电压稳定在低压域，通过所述输入源检测电路确定经所述预...

本申请实施例提供了一种efuse结构及其制备工艺，因为硅有良好的导热系数，所以通过在熔丝底部生长成大尺寸多晶硅作为电流通过熔丝的散热板，抑制热熔断产生，同时通过部分多晶硅进行硅化，另一部分多晶硅通过第三氧化硅层进行遮盖以避免在有第三氧化...

本发明实施例提供了一种反向充电保护电路，从电路结构上对反向充电电路结构进行改进，大量减少高压器件的使用，减少大尺寸器件的使用，用最少的器件，最少的功耗，可靠的实现反向充电保护的功能，同时也修改了修调方案，有效扩大修调范围，从而在不影响反...

本发明公开了一种功率MOS器件，在外延层中包含有MOS器件的源区、漏区以及体注入区，外延层表面包含有由栅氧化层和多晶硅栅极组成的栅极结构，体注入区中还包含有重掺杂区用于将体注入区进行接触引出，所述MOS器件的源区中，还包含有氩离子注入形...

本发明公开了一种IGBT器件，在IGBT器件背面的过渡区及终端区的缓冲层与集电极之间增加一层二氧化硅层，二氧化硅层与硅接触面存在界面态，从而降低了空穴寿命，二氧化硅层还具有吸硼排磷的特性，进而降低了IGBT芯片过渡区和终端区背面集电极的...