本实用新型涉及一种高耐压大电流同轴连接器，适用于高电压、大电流条件下同轴单芯屏蔽电缆的对接，主要应用于大功率新型快速电力半导体器件开关特性测试，也可用于快速电力半导体如IGBT、MOS等器件高频高压大电流设备的同轴高压电缆连接。本实用新...

本发明涉及一种高耐压大电流同轴连接器，适用于高电压、大电流条件下同轴单芯屏蔽电缆的对接，主要应用于大功率新型快速电力半导体器件开关特性测试，也可用于快速电力半导体如IGBT、MOS等器件高频高压大电流设备的同轴高压电缆连接。本发明采用线...

本发明涉及一种对半导体芯片实施高质量开管掺杂的弥漫式恒压气体携带杂质源扩散工艺管，包括管身和管口盖，管身包括外套、内衬和舟撑。本发明高温掺杂工艺过程中由舟撑支撑载片舟而无需舟铲存在于恒温区，管口盖保热性提高、管口管尾分别经流量控制计等流...

本发明涉及一种自适应电力半导体模块可靠性试验测试夹具，两根导杆固定在底板上，梯形丝杠通过丝杠连接套及推力轴承与滑动板连接，滑动板上安装有导套，导杆穿过导套并可上下滑动；底板上固定散热器，散热器上安装加热板，被测模块置于加热板上。本发明可...

本发明是一种气动式多触点高压大电流切换开关，主要适用于新型电力半导体器件和模块综合参数测试中大电流、高电压及多参数自动切换。采用高压气源作为动力，气缸作为执行机构，以气缸作为基座，通过导杆将两层固定板连接形成框架，以导杆为导向轴，气缸活...

本实用新型提供一种非同相逆并联同极单元上下结构整流器。目前整流器无法消除内部元器件的失效现象，当发生异常失效时，造成整流器故障扩大甚至引起恶性事故的衍生。本实用新型目的是研制一种非同相逆并联同极单元上下结构整流器。结构是利用双三相桥非同...

本实用新型涉及一种正反向对称类台面负角造型晶闸管结终端，正、反向结终端区的Ｐ型掺杂层边缘为类台面负角造型。本实用新型保持正反向对称双负角类台面造型结终端，可使晶闸管正反向转折电压对称、可大幅减薄长基区、可减小阴极面损失，增大晶闸管通流能...

本实用新型涉及一种双向阻断晶闸管正反向对称Ｐ型径向变掺杂结构，较高浓度Ｐ型掺杂层在低浓度Ｐ－型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度Ｐ型杂质进入双负角造型结终端区，本实用新型具有双面减薄Ｐ－区的作用，使特高压...

本发明涉及一种正反向对称Ｐ型径向变掺杂、类台面负角造型结终端晶闸管，较高浓度Ｐ型掺杂层在低浓度Ｐ－型掺杂层上形成的高低结为非平行平面结，其结面产生弯曲变化避免较高浓度Ｐ型杂质进入结终端区，正、反向结终端区边缘为类台面负角造型。正反向对称...