厦门万明电子有限公司专利技术

厦门万明电子有限公司共有34项专利

  • 本实用新型公开了一种片式功率型热敏电阻器,包括陶瓷外壳,功率型热敏电阻芯片以及至少两个导体,其特征在于:所述导体分别焊接在所述功率型热敏电阻芯片的相对两端面,所述功率型热敏电阻芯片通过所述陶瓷外壳进行封装,所述陶瓷外壳与功率型热敏电阻芯...
  • 本实用新型公开一种氧化锌压敏电阻器,其包括氧化锌压敏电阻瓷片,以及设置于氧化锌压敏电阻瓷片的上下表面的电极层;所述电极层包括底电极和表面电极,底电极与氧化锌压敏电阻瓷片直接接触,表面电极位于电极层的最外层;底电极是喷镀而形成的金属钒层、...
  • 本发明公开了一种高介微波陶瓷介质材料、制备方法及用途。其由主料及添加剂组成,其特征在于,所述主料的结构式为X(Ba1/2Li)(Mg1/3Ta2/3)O3-(1-X)SrTiO3,其中0.55≤X≤0.75;所述添加剂是ZnO、MnO2...
  • 本发明公开了一种微波陶瓷介质材料、制备方法及用途。其由主晶相和改性掺杂剂组成,所述主晶相结构式为(BaxMg1-x)(ZrySn1-y)O3,式中0.82≤x≤0.91,0.35≤y≤0.55;所述改性掺杂剂是Ta2O5、Co3O4、A...
  • 本发明公开了一种复合微波陶瓷介质材料、制备方法及用途。其由主成分和改性掺杂剂组成,所述主成分是aALa2(TixZr1-x)5O14-(1-a)B2Nb2O7,其中0.72≤a≤0.85,0.88≤x≤0.98,A为Ba或Sr,B为Ca...
  • 本发明所述一种抗还原陶瓷介质材料及其制备方法,采用固相反应法合成的Ba1-xZnxTi1-yZryO3(其中0.001≤x≤0.10,0.005≤y≤0.10)为主晶相材料,主晶相成分按质量百分比计在介质材料的组成中所占份数为88~98...
  • 本发明涉及一种陶瓷介质材料及陶瓷电容器。本发明的陶瓷介质材料及其制备方法,采用固相反应法合成的Ba1-xZnxTi1-yZryO3(其中0.001≤x≤0.10,0.005≤y≤0.10)为主晶相材料,主晶相成分按质量百分比计在介质材料...
  • 本实用新型公开一种圆片式电子陶瓷元件坯体去毛边机构,包括振动器、输送轨道,输送轨道由底板和两个侧板构成,输送轨道的上端处于陶瓷坯体成型装置出料口的下面,输送轨道的下端处于收料箱的上面,输送轨道为螺旋形,输送轨道的上部、中部、下部支撑在弹...
  • 本实用新型公开一种陶瓷电容器,包括介电陶瓷体、保护层,介电陶瓷体为圆盘形,介电陶瓷体两面的边缘对称设有倒角,介电陶瓷体两面的平面上粘满电极,两个电极的外侧分别焊接一个引脚,介电陶瓷体、两个电极、两个引脚一部分被保护层包覆在中间;优选所述...
  • 本实用新型公开一种卧式圆片式电子元件,例如陶瓷电容器、压敏电阻、NTC热敏电阻、PTC热敏电阻等圆电式电子元件,包括芯片主体及与焊接于芯片两侧面的两引线,其中一引线从芯片的一侧面向另一侧面弯折并与另一引线向芯片主体外延伸成型为两引脚。本...
  • 本实用新型公开一种压敏烧结匣钵,包括至少一个钵体,所述各钵体开口周边设有突起环,钵体底部周边外侧设有环状缺口。钵体与另一钵体上下叠加组装形成匣钵,其中一钵体开口周边的突起环与另一钵体底部周边外侧环状缺口相配合。本实用新型使用压敏瓷粉压制...
  • 本实用新型公开一种新型烧结槽型匣钵,在匣钵的槽底设有若干凹槽用于定位热敏电阻,且各凹槽底为通风道,以使其上的热敏电阻烧结过程中有机物及时排放。本实用新型通过改变匣钵的底部形状,增加凹槽并对产品进行定位;同时利用凹槽的斜面或弧形顶端将产品...
  • 本实用新型公开一种新型卧式电子元件,例如陶瓷电容器、压敏电阻、NTC热敏电阻、PTC热敏电阻等电子元件,包括芯片、焊接于芯片两侧面的两引线及其外侧的包封层,各侧引线在所处的芯片侧向外延伸成型为引脚,其中,所述的两引脚向同侧弯折90度使整...
  • 本实用新型公开一种NTC热敏电阻,包括NTC电阻芯片、保护层,NTC电阻芯片上连接两个引脚,NTC电阻芯片包覆在保护层的中间,两个引脚伸出保护层之外,保护层的外表面封装一层陶瓷层,保持两个引脚伸出陶瓷层外,所述的陶瓷层为氧化铝陶瓷层或氮...