本发明公开了一种纳米银锡合金，由以下质量浓度的原料制备而成，银锡离子共混液50～500g/L，还原剂200～2000g/L，保护剂10～100g/L，余量为溶剂；其中银锡离子共混液中银离子与锡离子的质量比为(1～9)：1；还原剂为硼氢化...

本发明公开了一种复合玻璃浆料及其制备方法，玻璃浆料包括如下重量份数的组分：复合玻璃粉40～160份、有机相载体5～30份，复合玻璃粉由低熔点玻璃粉和高熔点玻璃粉组成，低熔点玻璃粉的质量占复合玻璃粉总质量的15～85％，低熔点玻璃粉的软化...

本发明公开了一种金属导电玻璃浆料及其制备方法，金属导电玻璃浆料包含如下重量份数的组分：由纳米级金属粉和微米级金属粉混合而成的金属复合粉20～90份、玻璃粉10～70份、有机相载体30～90份，其中，玻璃粉的重量不少于上述材料总重量的10...

本实用新型公开了一种耐高温高压的密封转接件，包括外壳、耐高温密封端子和若干插针。所述外壳沿长度方向设置有贯穿孔，所述贯穿孔的内壁面上设有第一台阶面。所述插针与所述耐高温密封端子固结为一体，插针的两端分别向外超出所述耐高温密封端子。所述的...

本实用新型公开了一种压力传感器测试装置，包括罐体、罐盖、密封垫圈和用于将罐盖和罐体相互锁紧的连接件。罐体内设有顶部开口的罐舱，罐舱的底部开设有用于与外界标准压力源相连通的压力接口。罐盖盖合在所述罐体开口一侧，密封垫圈的两面分别与罐体及罐...

本发明公开了一种多层绝缘体上硅晶圆，包括至下而上依次设置的衬底支撑层、中间硅层和顶层硅，所述的顶层硅和中间硅层之间通过第一绝缘层连接，所述的中间硅层和衬底支撑层之间通过第二绝缘层键合连接。本发明还公开了上述多层绝缘体上硅晶圆的制造方法。...

本发明公开了一种MEMS电容式压力传感器芯片，包括第一晶圆和第二晶圆。第一晶圆包括相互键合的第一结构层和可动电极层，可动电极层通过整体刻蚀穿透形成相互物理电气隔离的第一封闭环、参考电容极板和可动电容极板。第一结构层顶部开设有凹腔，可动电...