本实用新型公开一种用于１０Ｇ激光器ＴＯ封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚之间的连接，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有供主芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、ＭＰ...

本实用新型公开一种具有斜窗管帽结构的ＴＯ封装激光器，包括主芯片、作外部封装用的管脚、管座、罩设在管座外缘的管帽以及设置在管帽内侧并起分光作用的分光片，该管座与管帽之间形成有容置空间；该管帽顶部呈一定角度倾斜设置，该管座上还设置有位于容置...

３ＧＨｚ带宽光电探测器，涉及一种光电探测器。提供一种可明显提高回波损耗，产品一致性较好的３ＧＨｚ带宽光电探测器。设有管座、管帽、芯片、陶瓷基片和透镜，管帽与管座熔接成一体，芯片和陶瓷基片固定在管座上，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽...

单纤双向光收发组件，涉及一种光收发组件。提供一种改进的单纤双向光收发组件。设有激光器、激光器管体、组件座、探测器、分光片、滤波片支座、插芯套和尾纤组件，在探测器内设有滤波片。由于将滤波片设在探测器内，发射和接收使用不同波长的光，通过一根...

用于６５０ｎｍ光纤通信的光电探测器，其特征在于为重掺杂的Ｐ↑［＋］表面层／Ｐ型层／低掺杂Ｎ↑［－］型外延层／重掺杂Ｎ↑［＋］衬底层，即Ｐ↑［＋］／Ｐ／Ｉ（Ｎ↑［－］）／Ｎ↑［＋］四层结构。

用于６５０ｎｍ光纤通信的光电探测器，其特征在于为重掺杂的Ｐ↑［＋］表面层／Ｐ型层／低掺杂Ｎ↑［－］型外延层／重掺杂Ｎ↑［＋］衬底层，即Ｐ↑［＋］／Ｐ／Ｉ（Ｎ↑［－］）／Ｎ↑［＋］四层结构。

一种ＰＩＮ结构４Ｈ－ＳｉＣ紫外光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种探测波长为２００～４００ｎｍ的ＳｉＣ　　ＰＩＮ紫外光电探测器。提供一种可用于在很强的可见及红外光背景下检测紫外信号的碳化硅（ＳｉＣ）ＰＩＮ结构紫外光电探测器。设...