本发明公开一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法，在硅衬底上利用ＭＯＣＶＤ技术先生长ＡｌＮ缓冲层，在ＡｌＮ缓冲层上继续生长ＡｌＩｎＮ缓冲层，最后生长ＩｎＮ单晶外延。ＡｌＩｎＮ缓冲层可以是单一组分的一层ＡｌＩｎＮ缓冲层，或是渐变...

本发明公开一种具界面粗化的发光二极管及其制作方法，提供一个基板；在基板上形成发光结构；在发光结构上形成第一电极，且发光结构与第一电极融合；在发光结构上还通过曝光、显影及蚀刻的方式，蚀刻出发光区，具有粗化界面；在基板的另一面上形成第二电极...

本发明公开一种高亮度发光二极管及其制造方法，在导电基板上依序形成第二半导体层、活性层和第一半导体层，导电基板的另一面形成第二欧姆接触电极，第一半导体层上形成第一欧姆接触电极和肖特基接触焊线电极，且肖特基接触焊线电极与第一欧姆接触电极连接...

本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用ＭＯＣＶＤ（金属有机化学气相沉积）技术生长一层ＡｌＮ缓冲层，然后继续利用ＭＯＣＶＤ技术生长ＩｎＮ单晶外延，并在ＩｎＮ单晶外延的生长过程中，通入四氯化碳ＣＣｌ↓［４］。此方法可...