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武学诗专利技术
武学诗共有1项专利
全膜真空电容器和局部浸渍电容器制造技术
本发明是有关固体电容器的改进,全膜真空电容器的极板之间的气隙小于10μm,容器壳内设置保护间隙装置,局部浸渍电容器的极板之间的气隙需小于1.5μm,介质均采用光膜,元件在常温常压下浸渍,全膜真空电容器的技术性能比传统产品大大提高,而局部...
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