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无锡析谱半导体科技有限公司专利技术
无锡析谱半导体科技有限公司共有1项专利
一种用于RGA的新型离子源结构制造技术
本发明涉及真空测量与分析领域,公开了一种用于RGA的新型离子源结构。本发明中,离子发射组件为钨灯丝,且钨灯丝两端通过陶瓷绝缘子固定于离子源腔体侧壁,聚焦加速组件包括依次同轴设置的透镜电极、引出电极,气体导入组件为石英毛细管,气体导入组件...
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