无锡市晶源微电子有限公司专利技术

无锡市晶源微电子有限公司共有114项专利

  • 本实用新型涉及一种用于可充电电池的电子装置,该电子装置包括充电电路、放电电路、电池保护控制电路和电池保护开关;其中,充电电路的一端连接输入端,充电电路的另一端连接放电电路和电池保护开关;电池保护开关连接电池;电池保护控制电路的输入端连接...
  • 本实用新型涉及一种具有输出管保护的驱动电路,该驱动电路包括输入级、推挽驱动级、输出管保护电路和输出管控制电路;其中,输出管保护电路的第一输入端连接输入级,输出管保护电路的第二输入端连接推挽驱动级,输出管保护电路的输出端连接输出管控制电路...
  • 本发明涉及一种漏电保护电路和漏电保护装置以及用电设备,包括漏电检测单元、漏电感应线圈、第一开关、第二开关、第三开关、脱钩控制单元、电容和脱钩开关;所述漏电感应线圈经脱钩开关与第一开关、第三开关串联后接地,第一开关和第三开关还连接第二开关...
  • 本实用新型涉及一种漏电保护装置和用电设备,所述漏电保护装置包括整流桥堆和漏电保护电路,其特征在于,还包括高低压转换装置;其中,高低压转换装置的一端连接整流桥堆,高低压转换装置的另一端连接漏电保护电路以向漏电保护电路提供电能;所述高低压转...
  • 本发明涉及一种用于可充电电池的电子装置,该电子装置包括充电电路、放电电路、电池保护控制电路和电池保护开关;该充电电路连接放电电路和电池保护开关,电池保护开关连接电池;电池保护控制电路的输入端连接在电池保护开关上,电池保护控制电路的输出端...
  • 本发明涉及一种具有输出管保护的驱动电路,该驱动电路包括输入级、推挽驱动级、输出管保护电路和输出管控制电路;其中,输出管保护电路的第一输入端连接输入级,输出管保护电路的第二输入端连接推挽驱动级,输出管保护电路的输出端连接输出管控制电路;所...
  • 本发明涉及一种漏电保护电路、漏电保护装置和用电设备,包括整流桥堆和漏电保护单元和高低压转换装置;其中,高低压转换装置的一端连接整流桥堆,高低压转换装置的另一端连接漏电保护单元以向漏电保护单元提供电能;所述高低压转换装置包括判别单元,用于...
  • 本实用新型实施例涉及一种同步整流电路、同步整流保护装置和充电器,其中同步整流电路包括变压器、第一功率管、同步整流保护装置和原边控制器,同步整流保护装置包括温度检测单元;变压器包括初级绕组、次级绕组和辅助绕组;初级绕组的一端连接电源,初级...
  • 本实用新型公开了一种N型LDMOS器件,包括彼此间隔设置在衬底层上的第一至第四有源区,相邻两个有源区之间形成场氧化层或第三氧化层,所述第二有源区形成栅氧化层,在栅氧化层靠近漏极的一侧形成复合氧化层,所述复合氧化层位于N型漂移区的上侧,所...
  • 本发明实施例涉及一种同步整流电路和保护方法、同步整流保护装置和充电器,其中同步整流电路包括变压器、第一功率管、同步整流保护装置和原边控制器,同步整流保护装置包括温度检测单元;变压器包括初级绕组、次级绕组和辅助绕组;初级绕组的一端连接电源...
  • 本发明涉及一种适用于PSR电源系统的输出电压采样方法及电路,基于采样方波信号和采样输入电压信号进行电压采样,根据当前采样输入电压,确定采样的起始时间和采样方波信号的脉宽。本发明可实现PSR电源系统输出电压的可变区域采样,采样电压能够对输...
  • 本发明公开了一种N型LDMOS器件,包括彼此间隔设置在衬底层上的第一至第四有源区,相邻两个有源区之间形成场氧化层或第三氧化层,所述第二有源区形成栅氧化层,在栅氧化层靠近漏极的一侧形成复合氧化层,所述复合氧化层位于N型漂移区的上侧,所述复...
  • 本发明公开了一种开关器件,电性连接于控制电路,开关器件包含开关功率管及启动晶体管,将启动晶体管集成于开关功率管内,启动晶体管接收启动电流后导通并启动控制电路,控制电路控制开关功率管导通,当控制电路正常工作后通过控制电路控制启动晶体管的电...
  • 电流采样装置
    本发明公开了一种电流采样装置,用以线性采样流经负载的电流,电流采样装置包含第一驱动开关单元、运放单元及线性采样单元,第一驱动开关单元,包含第一驱动开关管及第二驱动开关管,第一开关管及第二开关管导通时电源输出的电流依次流经第一驱动开关管、...
  • ESD保护结构
    本实用新型公开了一种ESD保护结构,ESD保护结构包含NPN型三极管,NPN型三极管内还包含二极管,二极管的阳极电性连接于NPN型三极管的基极,二极管的阴极电性连接于NPN型三极管的集电极。
  • 反激式电源变换器
    本发明公开了一种反激式电源变换器,包含:滤波网络、电缆再补偿装置及输出功率调节装置,滤波网络输出补偿电平;电缆再补偿装置电性连接于滤波网络,当输入电缆再补偿装置的补偿电平低时对所偿电平进行再补偿;输出功率调节装置电性连接于反激式电源变换...
  • 本发明公开了高压ESD保护结构,属于半导体静电保护的技术领域。高压ESD保护结构,包括:P衬底,扩散在P衬底内部的BN埋层,形成于BN埋层上表面的P外延层,制作在在P外延层上的NMOS管,P外延层上有若干N阱,每两个相邻的N阱与P外延层...
  • 电流采样装置
    本实用新型公开了一种电流采样装置,用以线性采样流经负载的电流,电流采样装置包含第一驱动开关单元、运放单元及线性采样单元,第一驱动开关单元,包含第一驱动开关管及第二驱动开关管,第一驱动开关管及第二驱动开关管导通时电源输出的电流依次流经第一...
  • 自测接地故障断路器及双向接地故障模拟方法
    本发明公开了一种自测接地故障断路器,包括感应线圈、中性线圈及与其相连的接地故障断路检测单元,自测接地故障断路器还包含:一模拟泄漏电流绕组及一自测单元;模拟泄漏电流绕组设置于自测接地故障断路器的感应线圈上,并与感应线圈的一感应泄漏电流绕组...
  • 输出端掉电检测装置及具有该装置的开关转换电源系统
    本发明公开了一种输出端掉电检测装置,包含一控制单元、一变压器及一掉电检测单元;掉电检测单元包含一电压调整器、一掉电检测比较器、一间隙控制开关及一间隙控制器;当开关电源输出端的输出电压小于掉电检测比较器的阈值时,掉电检测比较器输出一输出端...