本发明属于晶体硅磷掺杂技术.因高浓度掺磷乳胶源受环境影响大，易胶凝化，存放期短.三氯氧磷是剧毒品，生产，操作，运输极不便.本发明是用磷的含氧酸和醇胺反应生成盐，溶于溶剂中，作磷掺杂源.本发明生产和使用操作简单，低成本，存放期长，扩散浓度...

本发明公开了一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯100‑120份、无水乙醇250‑350份、冰乙酸36‑50份、五氧化二磷45‑60份。本发明还公开了所述的掺磷乳胶源的制备方法。本发明的发明是专为二极管制造、太阳能芯片制...