本发明公开了一种反向导通绝缘栅双极晶体管（RC‑IGBT）的晶圆背面N+ 布局结构。晶圆背面设有N+ 掺杂区域，所述N+ 掺杂区域按照由多个正六边形单元构成的周期性六角形密堆积结构进行排布，各正六边形单元内部形成N+ 掺杂区，并在晶圆背...