本发明涉及完全利用供料气和全再循环CVD-西门子甲硅烷反应器法，用于基于甲硅烷(SiH4)的化学气相沉积(CVD)多晶硅的CVD的甲硅烷和氢再循环方法/系统。具体地，本发明涉及经由气态硅烷前体的分解生产多晶硅块材料的基本上完全硅烷利用和...

生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统。本发明的方法包括提供硅棒生产装置，包括包含带夹套反应室的反应器容器，其中预加热流体在夹套中被循环，一个或更多个延伸到反应室的电极组件，每个电极组件包括气体进口、一个或更多个传热流体进口/...

提供用于与化学气相沉积(CVD)西门子型方法一起使用的氢再循环方法与系统。所述方法的结果是基本上完全的或完全的氢利用，以及基本上无污染的或无污染的氢。