本发明涉及一种避免锐角的浅沟道隔离制造方法，包括下列步骤。首先，在一半导体基底上依序形成一氮氧化硅（ＳｉＯＮ）层与一遮蔽层。定义遮蔽层与氮氧化硅层以形成一开口，露出欲形成浅沟道隔离区的基底区域。接着，在氮氧化硅层和遮蔽层的侧壁上形成一间...