提供了在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备。一种在工件中注入离子的方法包括：产生离子束；将离子束调节到平面中的所需的平行度；测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向；绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入...

本发明公开了一种用于差错检测和工艺控制的等离子体离子注入监视系统。具体涉及一种等离子体离子注入装置，包括：工艺室；位于所述工艺室中用于支撑衬底的台板；位于所述工艺室中且与所述台板空间上分开的阳极；被耦合到所述工艺室的工艺气体源，其中，含...

一种用于衬底的等离子体离子注入的方法包括提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统具有工艺室（１０）、用于在所述工艺室中产生等离子体（４０）的源、用于在所述工艺室中承托衬底（２０）的台板（１４）、与所述台板隔开的阳极（２４）、和...

这项发明提供一种有效地在高能模式和低能模式中操作包括带电粒子加速器的离子注入设备的方法和装置。带电粒子加速器包括高压电源、与高压电源耦合的加速器柱状物和开关组件。加速器柱状物包括众多加速器电极。高压电源在低能模式中被禁止激励加速器柱状物...

这项发明提供用来对包含搀杂材料的半导体晶片进行热处理的方法。在不使晶片熔化的情况下用足以激活搀杂材料激光能量照射晶片。除此之外，在比较低的温度下完成晶片的快速加温退火，以便修复结晶损伤。搀杂活动是在没有可测量的扩散的情况下实现的。快速的...

在工件（如半导体晶片）中注入离子的方法和设备，包括产生离子束，测定离子束的平行，根据测定的平行调节离子束到所需的平行程度，测定所调节的离子束的离子束方向，参照所测定的离子束方向以注入角度定向工件，以及使用参照所测定的离子束方向以注入角度...

本发明提供了一种用于生产硅绝缘体（ＳＯＩ）材料的方法。该方法涉及使用等离子注入步骤在衬底中注入氧以在相对浅的深度形成注入区域。然后，将衬底在高温退火以将注入区域转化为可以在薄的硅籽晶层之下的绝缘层。最好在薄的籽晶层上外延生长硅层，来形成...

这项发明提供用来在半导体晶片上形成超浅结的方法和装置。该方法包括将为形成载荷子复合体（例如，每个复合体至少产生两个载荷子的激发子复合体）而选定的搀杂材料引入半导体晶片的浅表层的步骤。包含搀杂材料的半导体晶片可以经过处理（例如热处理）形成...

这些方法和装置是在综合处理系统中为等离子搀杂和离子注入准备的。装置包括处理室、用来产生离子束并且将离子束引进处理室的射束线离子注入组件、包括可进入处理室的等离子搀杂室的等离子搀杂组件和晶片定位器。该定位器在射束线注入模式中将半导体晶片放...

等离子注入系统和方法在基体处在两个以上不同位置的时候将来自等离子体的离子注入半导体基体。半导体基体可以在注入处理期间移动，例如，为了帮助补偿递送给基体的剂量的不均匀性。除此之外，只有部分基体可以在对基体的某个部分进行注入处理期间被注入。...

提供了用于高速工件处置的方法和设备。用于工件处置的方法包括：利用第一机器人从第一盒移走工件；将所述工件从所述第一机器人直接传递到第二机器人而不将所述工件传递到传递站；利用所述第二机器人将所述工件放置在处理站处的工件支持器上；以及在处理之...

一种用于衬底的等离子体离子注入的方法包括提供等离子体离子注入系统，所述等离子体离子注入系统具有工艺室（１０）、用于在所述工艺室中产生等离子体（４０）的源、用于在所述工艺室中承托衬底（２０）的台板（１４）、与所述台板隔开的阳极（２４）、和...

一种用于衬底的离子注入的方法，包括：由至少一种包括至少一种注入物质的注入材料形成等离子体，将所述至少一种注入物质注入到所述衬底的表面中，并将至少一种表面修饰物质导向到所述表面来减小与所述等离子体相关联的表面损坏。一种用于离子注入的装置被...

一种制造基于半导体的器件的方法，包括：提供掺杂的半导体衬底；将第二掺杂剂引入衬底中以限定ｐｎ结；和将中和物质引入ｐｎ结附近的衬底中以减少与ｐｎ结相关的电容。基于半导体的器件包括具有第一和第二掺杂剂的半导体衬底。第一和第二掺杂剂限定ｐｎ结...

离子束装置包括离子源，第一磁铁组件，界定分辨孔的结构，和第二磁铁组件。离子源狭长的排出孔，用来产生带状离子束。第一磁铁组件提供第一磁场，用来偏转垂直于带状离子束横截面的长边的离子束，在第一磁场中将带状离子束中的不同种类的离子分离。分辨孔...

一非直接加热阴极式离子源，包括一个用于感测从弧光腔室抽出离子电流的抽出电流传感器和一个用于控制丝极电源、偏置电源和／或弧光电源的离子源控制器。离子源控制器可以比较感应抽出电流和参考抽出电流并计算出感应抽出电流和参考抽出电流之间的差值。控...

离子注入装置包括用来产生离子束的离子束发生器、用来在第一方向上横越工件扫描离子束的扫描器、用来在第二方向上这样平移工件以使离子束分布在工件上的机械平移器、以及用来控制平移速度和射束扫描宽度以限制离子束离开工件的时间的控制器。在半导体晶片...

一种用来在真空度波动期间沿着射束线控制注入的方法和装置。真空度波动可以根据检测到的射束电流进行检测和／或可以在不测量注入室中的压力的情况下得到补偿。用于离子束电流的参考水平能够被确定下来，而且在参考数值和实测的离子束电流之间的差异可以被...

一种检测粒子的方法和仪器。被检测的粒子可以是带电的或者是不带电的，并且粒子可以根据由于能量从运动粒子向传感器装置传递以及／或者由于传感器装置上带电粒子的累积而产生传感器装置的偏斜而被检测。传感器装置可以是或者包括一个悬臂距，该悬臂距包括...

非直接加热阴极式离子源的阴极被至少一个杆或钉支撑。阴极优选为盘状，支撑杆的直径小于阴极盘的直径以减少热传导和热辐射。在一个实施例中，阴极被单个杆在盘中心或中心附近支撑。为简单和稳定地夹紧和分离，支撑杆被一个弹簧夹夹持。阴极盘和支撑杆可制...