一种修正晶片图形线的临界尺寸偏差的方法，光掩膜由透明的具有两个完全相反表面－一个背面和一个正面的透明的感光底层组成，感光底层上的正面具有吸收覆盖层，感光底层上的图形线通过去除吸收覆盖层而形成。该方法包括：在与光掩膜相关联的晶片曝光域测定...