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图恩斯通系统公司专利技术
图恩斯通系统公司共有3项专利
三层横梁MEMS器件及相关方法技术
一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法,包括:在衬底上淀积牺牲层(310),和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312);在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322...
具有触头和支座凸块的MEMS器件及其相关方法技术
根据一个实施例,提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层,该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块,该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中,当该部件移动时用于防止可移动电极与导...
具有三层横梁的MEMS器件制造技术
提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108),并且包括第一导电层(116),将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并...
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