本公开描述了一种用于控制绝对波长和光带宽的方法、激光器和成像系统以及封装在单个外壳中的可调谐激光器组件和一种控制方法，其中可调谐激光器、泵浦和半导体光学放大器不共享公共光轴，而是全部对准中间平面光波电路(PLC)上的光波导。PLC上包括...

本公开描述了一种封装在单个外壳中的可调谐激光器组件、稳定激光器和成像系统以及一种控制方法，其中可调谐激光器、泵浦和半导体光学放大器不共享公共光轴，而是全部对准中间平面光波电路(PLC)上的光波导。PLC上包括波长监测电路，以对可调谐激光...

描述了置于单个外壳中的可调谐激光器组件和控制方法，该方法提供了利用光学配置对宽可调谐激光器(例如MEMS可调谐VCSEL)的光谱特性进行高速监测和控制，该光学配置不会将干扰引入扫频源激光器输出光谱，干扰引入会在成像应用(例如光学相干断层...

所描述的是用于推导覆盖了很宽的波长或频率范围的波长/频率信息的方法和系统。其实际应用包括固定波长的光信号以及宽带宽可调谐或不可调谐的光信号，其中波长/频率信息对于光信号的校准、控制和监视、光学通信以及数据处理来说是必需的。该方法具有“自...

一种带间级联激光器，包括：脊形波导，具有交替的第一区域和第二区域；其中第一区域具有恒定的宽度，并且第二区域在第一区域和第二区域之间的边界处具有与第一区域匹配的宽度，并且第二区域的宽度增加到大于第一区域的宽度的最大值，使得沿着脊形波导的每...

公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器，所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构，半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb，低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率...

一种半导体辐射源，包括有源芯结构、至少一个微加热器以及至少一个第一电极，所述有源芯结构包括半导体材料，所述微加热器位于有源芯结构上方并且与有源芯结构热连通，所述第一电极位于微加热器的一侧上并且与所述有源芯结构电连通，用于将电流注入有源芯...

一种量子级联激光器结构，包括多个量子阱和多个势垒，所述多个量子阱的至少一部分限定了一激活区，所述激活区的一端邻接一注入势垒，其中：在限定激活区的多个量子阱中的两个或多个相邻量子阱位于注入势垒的附近，并且每一个所述两个或多个量子阱都具有一...

公开了一种形成能够生成中红外激光辐射的激光源的方法，该方法包括：在基板上生长第一芯层结构；在一个或多个位置上蚀刻掉第一芯层结构；并且在基板上生长第二芯层结构。芯层结构中的至少一个包括以在3-14μm的范围内的频率发射的量子级联增益介质。...

单片可调谐中红外激光器具有3-14μm的范围内的波长范围，并且包括异构量子级联有源区域、连同至少第一集成光栅。异构量子级联有源区域包括至少一个叠层，该叠层包括两个级，可取地，至少三个不同的级。还公开了操作和校准激光器的方法。