本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法。金属氧化物半导体场效应管包括衬底、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的阱区、栅极结构和第一导电类型的隧穿结结构。隧穿结结构位于漂移区内，隧穿结结构包括第一隧穿层和第二隧穿层。第一隧穿层...