本发明涉及制备和组装基材的方法，本发明尤其涉及一种用于移植被称作移植层的材料或电路或元件层的方法，该移植层形成在第一晶片材料中，并且该移植层的表面与第一晶片材料的表面平齐，所述方法包括：钻挖所述第一晶片材料经过一厚度，其中所述移植层至少...

本发明涉及一种要被转移到另一基片上的薄层（２８）或芯片的预加工方法，该方法包括在所述薄层或芯片的表面上形成被称作粘结层的至少一个层（２５）和被称作第一阻挡层的至少一个层（２２），所述粘结层由相对于所述阻挡层的材料具有蚀刻选择性的材料形成。

本发明涉及一种用于生产包含表面层（２０’），至少一个埋入层（３６，４６），以及支撑（３０）的半导体结构的方法，该方法包括：采用第一材料在第一支撑上形成图形（２３）的步骤；在所述图形之间和之上形成半导体层的步骤；组装所述半导体层与第二支撑...

本发明涉及一种用于组装第一和第二晶片材料（１２和１４）的方法，包括对至少所述第一晶片（１２）进行的钻挖步骤，对所述第一和第二晶片进行的组装步骤。

本发明涉及一种用于制造包括表面层（２）、至少一个掩埋层（４）、以及支架的半导体结构的方法，该方法包括：在第一支架上形成由第一材料制成的第一层（４）的第一步骤，并且该第一层中的至少一个区域（２６、２８）由蚀刻速率高于第一材料蚀刻速率的第二...

一种对通过利用接触面将第一晶片接合到第二晶片上并使第一晶片变薄而获得的结构进行修整的方法，其中，至少第一晶片或第二晶片被倒角，并因此暴露第一晶片的接触面的边缘，其中，修整涉及第一晶片，其特征在于，该方法包括以下步骤：ａ）从这些晶片中选择...

本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，包括：ａ）在衬底的表面层（２）内或表面层上制造至少部分电路，包括上述的表面层（２），在表面层下的掩埋层（４），和用作第一支撑体的下层（６），ｂ）将这个衬底转移到操作基片（２０）上，然后去除第一支撑...

本发明涉及一种制造板状结构的方法，所述结构包括至少一个基底（３）、覆盖层（５）和夹在所述基底和所述覆盖层之间的至少一个中间层（４），所述方法包括：在所述基底上形成至少一个所述中间层，所述中间层含有其中分布有称之为非本征原子或分子的至少一...