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T奥姆斯专利技术
T奥姆斯共有1项专利
用于测量磁场的传感器元件、磁场传感器和用于制造传感器元件的方法技术
一种用于测量磁场的传感器元件(42,42’),具有晶片结构(12),该晶片结构(12)具有半导体衬底(13)、绝缘层(14,14’)和半导体层(15,15’)。传感器元件具有穿过绝缘层(14,14’)穿通接触的凸模(16,16’),该凸...
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