本发明涉及一种具备高导电性的钾锰掺杂磷酸铁锂复合正极材料的制备方法，该多元素掺杂磷酸铁锂的化学式为Li1-xKxFe1-yMnyPO4，其中：x＝0.15-0.3，y＝0.3-0.35该方法包括如下步骤：(1)制备纳米磷酸铁锂前驱体；(...

本发明涉及一种金属表面包覆Na掺杂磷酸铁锂复合正极材料的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)按照化学式Lil-xNaxFePO4中的Li、Na、Fe、P的摩尔量称取碳酸锂、草酸亚铁、磷酸二氢铵和碳酸氢钠，固相法制备得到Na掺杂磷酸铁锂；...

本发明涉及一种钴锡碳复合负极材料的制备方法，该方法包括如下步骤：(1)制备CoO-Co复合材料；(2)按Co∶Sn的摩尔比为4∶3-2∶1的配比称量上述CoO-Co复合材料和SnO2纳米氧化物，然后按重量比树脂∶(CoO-Co+SnO2...

本发明涉及一种碳包覆钬掺杂钛酸锂复合负极材料的制备方法，包括如下步骤：(1)制备包覆用碳粒子；(2)选用碳酸氢锂、二氧化钛和氧化钬为原料，将三种原料混合后，加入占上述三种原料总重3-5wt％的上述包覆用碳粒子，加入丙酮分散剂，在球磨机上...

本发明涉及一种多元素掺杂磷酸铁锂复合正极材料的制备方法，该多元素掺杂磷酸铁锂的化学式为Li1-xKxFe1-yZnyP1-zSzO4，其中：x＝0.1-0.2，y＝0.2-0.3，z＝0.15-0.25，该方法包括如下步骤：(1)按照上...

一种闪存存储方法，包括：接收待存储数据；确定存储待存储数据所需要的存储块的数量L；找到第一存储单元中最后存储数据的存储块，并判断最后存储数据的存储块之后的连续的L个存储块中是否存在己锁定的存储块；如果存在已锁定的存储块，则继续判断待存储...

一种闪存校验存储方法，所述方法包括：校验链表中每一节点的数据域存储的物理地址所对应的存储块；从链表中删除数据域中存储有坏块的物理地址的节点；将待存储数据以存储单元中块的大小为单位划分为N个数据块，其中N为大于或等于1的整数；将待存储数据...

一种闪存存储方法，所述闪存包括第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元均包括具有相同大小的多个存储块，所述多个存储块用于存储待存储数据，其中第一存储单元的最大可擦写次数为M，第二存储单元的最大可擦写次数为N，其中M＞N，所...

一种闪存存储方法，所述方法包括：a)根据待存储数据的大小S以及存储块的存储容量C，将待存储数据划分为L个数据块，其中并初始化参数i＝0，j＝1；b)根据指针找到闪存中最后存储数据的存储块B(i)；c)判断存储块B(i)的下一存储块B(i...

提供了一种计算机系统中内存资源分配方法，所述方法包括：接收运行时环境下进程对内存资源的请求；解析进程的类型并计算所述进程请求的内存容量；当进程的类型为应用级时，确定是否应用内存资源能够满足所述进程请求的内存容量，当不满足时进一步确定是否...

本发明公开了一种离子电池石墨硫化钼纳米复合负极材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将天然石墨料加工得到纯化的石墨材料；(2)将氧化石墨烯制成氧化石墨烯溶液；将硫代钼酸铵加入到上述氧化石墨烯溶液中，使硫代钼酸铵和氧化石墨烯同时分别还原成M...

一种在计算设备中多处理器协同处理的方法，其中所述计算设备包括一主处理器、一备用处理器和多个协处理器，所述主处理器、备用处理器和多个协处理器都包括待机模式和工作模式，所述方法包括：响应于任务请求，主处理器从待机模式转换到工作模式；由主处理...

提供了一种在计算机系统中分析并执行动作信息的方法，所述方法包括：接收动作信息；分析所述动作信息并生成分析结果信息；根据分析结果信息判断所述动作信息的类型；如果所述动作信息的类型为设置，则执行设置动作，设置动作结束返回设置完成信息；如果所...

本发明提供了一种控件动作执行方法，所述方法包括：在第一控件处接收第一动作，所述第一动作包括确定一对象；响应于所述第一动作，判断所述对象是否合法；在第二控件处接收第二动作，所述第二动作包括触发第一事件发生；响应于所述第二动作，触发所述第一...