本发明公开了一种工艺腔室和半导体薄膜沉积设备，该工艺腔室包括腔室本体（1）、连接在所述腔室本体（1）上的点火头（2）、进气腔（3）和出气腔（4），所述腔室本体（1）、进气腔（3）和出气腔（4）的内壁覆有致密多阻挡层的阳极氧化膜，所述点火...

本发明公开了一种硬质阳极氧化铝合金作为真空可变电容丝杆的应用，所述真空可变电容丝杆包括铝合金丝杆基材和形成于丝杆表面的硬质阳极氧化层。形成所述硬质阳极氧化层的氧化液为浓度为84~165g/L的H<subgt;2</subgt...

本发明公开了一种铝或铝合金表面多阻挡层氧化膜的形成工艺和制品，该工艺包括：S1、在槽液中对铝或铝合金表面进行硬质阳极氧化；S2、将步骤S1得到的产品依次进行碱处理和酸处理，去除氧化膜表面残留金属离子杂质，同时将多孔层腐蚀，保留第一阻挡层...