本实用新型涉及一种CMOS工艺低压检测电路结构，包括：电压采样电路基准电压产生电路、电压比较电路、施密特触发电路、采样电压控制电路；所述电压采样电路提供可被采样的第一电压和第二电压，该第一电压小于第二电压；电压采样电路的第一电压和第二电...

本实用新型涉及一种CMOS工艺过温保护结构，包括：第一级电流镜其包括参考电流源，第一级电流镜用于产生第一级镜像电流；第二级电流镜，以所述第一级镜像电流作为参考电流并产生第二镜像电流；热敏三极管第一端与所述第二级电流镜的镜像晶体管的输出端...

本实用新型揭示新型SUB‑1G无线接收系统结构，包括集成MCU模块和无线接收模块的芯片模组，以及与所述芯片模组连接的外围电路；所述外围电路包括：无线信号接收电路，该无线信号接收电路用于选频网络；与所述芯片模组接地引脚连接的地电平；用于调...

本实用新型涉及一种新型CMOS工艺过流保护结构包括:第一级电流镜其包括参考电流源，第一级电流镜用于产生第一级镜像电流；第二级电流镜，以所述第一级镜像电流作为参考电流并产生第二镜像电流；栅极与被保护晶体管栅极连接，并且以所述第二镜像电流作...

本实用新型公开一种新型低噪声锁相环结构，包括参考频率源，鉴相器，环路滤波器，压控振荡器，程序分频器，锁定监测电路；所述参考频率的输出端连接鉴相器的参考频率输入端；所述鉴相器的输出端连接环路滤波器的输入端；所述环路滤波器的输出端连接压控振...

本实用新型涉及一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，包括：多级RC延时网络；RC延时网络的每一级包括：基极相互连接的PMOS管和NMOS管；输出端与所述PMOS管和NMOS管基极连接的反相器；以及输入端与所述PMOS管和NMOS管基极连接的...

本实用新型涉及一种新型SUB‑1G无线发射系统结构，包括集成了MCU和无线发射模块的芯片；所述芯片包括与电源连接的电源引脚；与阻抗匹配网络连接的射频信号输出引脚，所述阻抗匹配网络包括天线；与LED指示灯连接的指示信号输出引脚；所述MCU...

本实用新型公开了一种基于CMOS工艺实现的高精度片上时钟振荡器，包括频率电压转换电路、积分电路、压控振荡器、电流自动修条电路、温度系数可调电流源及带隙基准电路，频率电压转换电路、积分电路和压控振荡器依次连接形成一闭环结构；本实用新型利用...

本发明公开了一种基于CMOS工艺实现的高精度片上时钟振荡器，包括频率电压转换电路、积分电路、压控振荡器、电流自动修条电路、温度系数可调电流源及带隙基准电路，所述频率电压转换电路、所述积分电路和所述压控振荡器依次连接形成一闭环结构；本发明...