本发明涉及光电探测器的技术领域，具体提供一种光电探测器芯片及制备方法，旨在解决现有光电探测器芯片难以兼顾高消光比和高透光率的问题。为此目的，本发明提供的光电探测器芯片包括探测器芯片、透镜阵列和偏振片阵列，偏振片阵列包括光栅，光栅具有狭缝...

本发明涉及光电探测器，具体提供一种化合物半导体光电探测器芯片的制备方法，旨在解决现有光电探测器制备效率低的问题。本发明提供的化合物半导体结构的制备方法包括：提供探测器晶圆，在外延片上形成像元台面以及公共电极台面；于外延片的一侧形成顶电极...