本发明公开了一种用于感测光的器件，包括掺杂有第一类型掺杂剂的第一半导体区域以及掺杂有第二类型掺杂剂的第二半导体区域。所述第二半导体区域位于所述第一半导体区域的上方。所述器件包括栅极绝缘层、栅极、源极和漏极。所述第二半导体区域具有朝向所述...