本发明公开了一种快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域，包括N+衬底以及N‑外延层，所述介质层的顶部覆盖有金属层，所述P‑阳极的表面设置有AlSi合金层，AlSi合金层用于降低金属层和P‑阳极的接触电动势。本发明通过加厚N...

本发明公开了一种沟槽SiC基MOS器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，沟道打开后，电子从源极出发，经沟道被N+积累层收集，最终流向漏极，由于N+积累层的存在，在电流运动的路径上，大幅降低了积累层电阻，从而降低了器件的导通电阻，栅极...