本申请实施例提供一种晶圆传输装置及半导体设备，用于解决耐高温性能差的问题。晶圆传输装置包括支撑主体、驱动组件、移动组件、大臂组件、小臂组件和至少两个末端执行器。移动组件与支撑主体传动连接，驱动支撑主体沿第一方向移动，驱动组件设置在支撑主...

本申请涉及真空技术领域，尤其涉及到一种挡板机构及电容真空计。挡板机构设置于电容真空计的进气管处，挡板机构包括间隔设置的缓冲挡板和扩散挡板，缓冲挡板具有第一阻挡部和多个狭缝组，第一阻挡部用于与进气管对应，多个狭缝组位于第一阻挡部和缓冲挡板...

本申请提供一种互连结构和互连结构的制备方法，包括衬底

本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括提供基体层；在基体层上形成第一芯轴；形成第一掩膜层和第一辅助层，第一掩膜层中具有第一沟槽，第一沟槽暴露部分第一芯轴，第一辅助层位于第一沟槽的至少部分槽侧壁，在第一辅助层中形成第二沟槽；去除与第二沟...

本申请提供一种气体分配装置以及半导体刻蚀设备。气源用于提供反应气体。气动阀与气源通过气源管路相连通。气体喷淋头与气动阀相连通。沿竖直方向，气体喷淋头对应设置于晶圆的上方。气体喷淋头包括匀气盘组件。沿匀气盘组件的径向，匀气盘组件内设有多个...

本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供基体层；形成沟槽，沟槽位于基体层中；形成目标材料层，目标材料层覆盖沟槽的槽壁、沟槽的槽口和基体层的顶面，位于基体层的顶面的目标材料层的厚度和位于沟槽的槽口处的目标材料层的宽度均大于位于沟槽的...

本申请实施例提供一种晶圆加热装置以及半导体加工设备，其中，晶圆加热装置包括：传热壳；加热件，设置在所述传热壳的内腔中；隔热垫，与所述传热壳的底面的中部连接，所述隔热垫的导热率低于所述传热壳的导热率；支撑杆，与所述隔热垫的底面连接。半导体...

本公开实施例提供一种转子碰摩故障声信号诊断方法、装置及电子设备，涉及信息处理技术中的探测信号处理、电数字数据处理领域，该方法的一具体实施包括：采集目标对象的转子运行时的声信号；对所采集到的所述声信号进行分解，得到多个本征模态函数，并由所...

本申请实施例提供一种用于半导体加工设备的晶座的夹取工具，该夹取工具包括：基板；吊装座，设置于基板的顶面且用于配合吊装机构；支撑组件，设置于基板的边缘区域；支撑组件包括转轴与支撑件，转轴穿设于基板且可转动地设置于基板，至少部分转轴穿出基板...

本申请实施例提供一种约束环及半导体刻蚀设备，涉及半导体刻蚀设备技术领域。约束环包括环形板，环形板设置有多个环形槽组，多个环形槽组依次套设，且沿环形板的径向间隔排列；每个环形槽组均包括沿环形板的周向间隔排列的多个约束子槽，相邻的约束子槽之...

一种压力传感器，包括底座、膜片和至少一个应变器件。底座设置有通孔。膜片固定在底座的通孔的一个端口处。底座与膜片为两个不同的部件，可以降低底座的加工难度，以及降低压力传感器的成本。膜片固定在底座的通孔的一侧端口处时，膜片的形变效果减弱，可...

一种支撑机构和预清洁设备。支撑机构包括：支撑组件，包括支撑环、支撑座和多个顶针，支撑座设于支撑环上方且支撑座上设有多个安装孔，每个顶针间隙配合地设于多个安装孔中的一者内；第一驱动装置，能驱动支撑座在第一位置和高于第一位置的第二位置之间移...

本申请提供了一种旋转升降机构，应用于晶圆加工装置，晶圆加工装置包括工作腔室和工作台，工作台用于承载待加工的晶圆，旋转升降机构至少包括旋转升降杆和抱闸组件，其中旋转升降杆相对于工作腔室可旋转设置，用于带动工作台上升或下降；抱闸组件用于抱死...