本发明公开了一种改进的AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，涉及半导体光电子器件制备技术领域，深紫外LED包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n‑型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p‑...