本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管(LDMOS)功率器件基本单元的新结构，包括以下特征：外延层置于高掺杂剂衬底上，器件的导电沟道在外延层表面，沟道之上是栅极氧化层和栅极，沟道的一端经N型LDD连接至N型漏区，沟道的另一端经N型LDD...

本发明公开了一种半导体功率器件的结构，包括以下特征：有源区最少由三种不同的单元组成，其中一种单元是快速反向恢复二极管(FRD)的表面结構，第二种单元是绝缘栅双极晶体管(IGBT)的表靣结构，第三种单元的表靣结构含有兩条沟槽，沟槽与沟槽之...

一种半导体功率器件的结构。本发明公开了一种栅控晶体管与FRD集成在同一芯片的器件结构，FRD部份有以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于2um，表面浓度为1×1015/cm3至1×1018/cm3，在表面处约0.2um至2.0um...

本发明公开了一种快恢复二极管的器件结构，器件的有源区包括以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于2um，表面浓度为1×1015/cm3至1×1018/cm3，在表面处约0.3um至2.0um之下至少有兩个独立浮动n+型层，n+型层与...

本发明公开了一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法，器件的有源区的单元结构包括以下特征：含有至少一个沟槽，沟槽与沟槽之间有部份区域为p型区，有部份区域为n型区，沟槽与沟槽之间的表面有部份为p型区的表面，有部份区域为薄层p+区，沟槽与沟槽...

本发明公开了一种用半导体晶圆片透过蚀刻方法来制备掩模版的方法，包括以下特征：晶圆片的厚度为50μm至3000μm不等，晶圆片中有所需的穿通的特征图形，这穿通的特征图形是透过蚀刻方法来形成的，图形的宽度尺寸为5μm至400μm不等，几何图...

本发明公开了一种半导体功率器件的结构，包括以下特征：有源区的单元包含有至少一个深沟槽，至少一个浅沟槽，P型基区，N型区，N型基区，N+发射区，接触孔，层间介质，表面金属和钝化层等，在深沟槽底部至少有一掺杂区，在正向导通时，深沟槽底部的掺...

本发明公开了一种功率场效应晶体管器件的结构，包括以下特征：有源区的单元结构由两部分组成，其中一部分与一般常用的沟槽IGBT单元结构一样，称之为常规部分；另一种部分为在硅片中有一P型区域，在P型区表面上有一N+区，围绕着这区域为沟槽，沟槽...

本发明公开了一种芯片尺寸封装的功率场效应晶体管器件的新结构，包括以下特征：器件的源极，漏极和栅极金属垫层都在芯片的表面上，在源极金属垫层下是横向与纵向场效应晶体管集成在一起，在漏极和栅极金属垫层下是纵向晶体管结构并有导电深沟槽把漏区连接...

本发明公开了一种制备沟槽栅控功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个沟槽；然后，对外延层注入P型掺杂剂和N型掺杂剂，分别形成P型基区和N型源区，接着在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层...

本发明公开了一种制备沟槽半导体功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对N型衬底上的P型外延层进行侵蚀而形成多个沟槽，在沟槽内侧壁形成一层栅极氧化层并填以多晶硅，然后在沟槽顶部侧壁形成一PSG氧化层，并通过高温使PSG氧化层内的N...

本发明公开了一种制备沟槽栅控半导体功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，并在外延层上进行侵蚀而形成多个沟槽；然后，对外延层注入N型掺杂剂形成N型源区，接着在外延层表面沉积层间介质，再利...