综上所述，本申请提供了一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构。该控制方法包括提供超滑结构，再对超滑结构施加一扭矩，其中，超滑结构包括超滑滑块和超滑基底。通过直接对超滑滑块施加扭矩的方式，使超滑滑块能够在扭矩的驱动下相对于超滑基底...

本申请提供了一种超滑结构及其制备方法，该超滑结构制备方法包括提供超滑岛和第一基底，然后，再将超滑岛内的滑块沿超滑界面转移至第一基底的上表面，最后，再对第一基底上的滑块的电阻值进行测量，筛选出电阻值满足目标阈值的滑块，获得超滑结构。通过对...

本公开提出一种电子束斑的检测方法及装置，涉及高分辨表面形貌测试技术领域。包括：确定晶圆样品中的划痕标记区域；在低倍率下对所述划痕标记区域进行快速扫描和聚焦和调整像散；移动样品台到待曝光区域对应的位置；设置曝光参数组合，并对所述曝光参数组...

本申请提出一种聚焦离子束显微镜观察光刻胶结构的样品及方法和应用，其中聚焦离子束显微镜观察光刻胶结构的样品，包括：硅片和保护层，所述硅片具有第一表面，所述第一表面上设有至少一个经曝光的光刻胶掩模图形；所述保护层设在所述经曝光的光刻胶掩模图...

本发明属于芯片技术领域，具体涉及一种调节Su‑8表面亲水性的方法。本发明实施例公开的调节Su‑8表面亲水性的方法，包括以下步骤：(1)在基体表面旋涂Su‑8，通过光刻显影处理形成微纳米结构；(2)将多巴胺和纳米二氧化钛混合液旋涂在Su‑...

本发明提供了一种锡膜及其制备方法和微纳器件。所述锡膜的制备方法包括以下步骤：(1)将清洗干净的基片固定在电子束蒸镀设备的转台脚棒支架上；将装有锡膜料的蒸发舟安装至电子枪正负电极之间的转盘上，并用遮板盖住所述蒸发舟；(2)将真空室抽真空，...

本申请提出一种半导体器件的层结构、半导体器件及其形成方法，其中层结构包括基底层其为不导电结构并在第一方向上具有厚度，且位于第一方向上的一侧为衬底层，另一侧为硅化层；抗蚀剂层覆设在背离衬底层的一侧并与硅化层的部分区域接触连接；电子引导层其...

本发明提出一种激光直写灰度写图能量曲线优化方法及系统，该方法包括基于设计面型获得目标灰度图及其曝光使用的初始能量曲线；设置激光能量参数初始数集，基于初始能量曲线和激光能量参数初始数集对样品进行曝光显影得到已曝光样品；对已曝光样品进行灰度...

本发明提供一种超滑片的加工方法，所述加工方法包括：在石墨材料的表面图案化形成石墨岛图形；按所述石墨岛图形刻蚀所述石墨材料，形成石墨岛；对所述石墨岛进行加热，并通入氧化性气体，使所述石墨岛的侧壁外缘与所述氧化性气体接触；推动所述石墨岛的上...

本实用新型提供一种用于测试滑块摩擦性能的测试结构，所述测试结构包括基底，所述基底表面设置有至少一个凹槽，所述凹槽内部设置有待测柱体，所述待测柱体的顶面的尺寸小于滑块的待测表面的尺寸，所述凹槽的尺寸大于所述滑块的待测表面的尺寸，所述待测柱...

本发明提供了一种超滑旋转平台、具有超滑旋转平台的微镜装置及激光雷达，超滑旋转平台能够作为承载平台具有较大的适用范围，不仅可以适用于承载微镜，还可以用于承载其他元器件，承载台可以相对于基底实现零摩擦的转动，转动平平稳且使用寿命长，具有较强...

本发明公开了一种电子束光刻的聚焦方法，该方法包括：获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；根据光刻图形，确定待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；在待光刻样品的非器件设置区的光刻胶层的表面形成导电图形；控制电子束利用导电图形中导电粒子...

本实用新型提供了一种超滑旋转平台、具有超滑旋转平台的微镜装置及激光雷达，超滑旋转平台能够作为承载平台具有较大的适用范围，不仅可以适用于承载微镜，还可以用于承载其他元器件，承载台可以相对于基底实现零摩擦的转动，转动平平稳且使用寿命长，具有...

本发明提供了一种能够形成集成器件表面原子级光滑电连接薄片的制备方法，利用一层可去除的具有原子级光滑表面的材料，在其表面进行器件集成，通过反向刻蚀加工的方法，最后将该材料通过刻蚀方法去除，从而得到一个集成了金属互联的原子级光滑表面的电连接...

本发明提供一种大尺度、大滑移行程并且有良好一致性和可靠性的结构超滑器件及其制备方法，所述超滑结构包括基底和多个超滑片，所述多个超滑片连接在所述基底上，所述连接使得所述超滑片的超滑面距基底表面的高度可调节。所述制备方法包括将所述超滑片转移...