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沈阳华迅真空科技有限公司专利技术
沈阳华迅真空科技有限公司共有2项专利
一种气体离子源装置制造方法及图纸
一种气体离子源装置,其阳极由封闭的正面阳极和背面阳极构成阳极腔体,阴极由封闭的正面阴极和背面阴极构成阴极腔体;阴极腔体置于阳极腔体中,背面阴极与背面阳极构成气体放电离化室;阴极腔体中置有磁场发生装置,磁场发生装置与阴极腔体间空隙为冷却介...
一种用于生成化合物材料薄膜的源装置制造方法及图纸
一种用于生成化合物材料薄膜的源装置,属于真空技术领域。其结构包括真空法兰、气体活化源及粒子源,气体活化源一端连接有气体活化源用气体管,气体活化源另一端设有粒子源,在粒子源与气体活化源之间沿粒子源轴线设有外延管路。本实用新型的有益效果:可...
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