本实用新型涉及一种芯片的片上导线直接引出结构，属于电子器件类。本实用新型特征在于使用微加工方法，在硅片表面形成一个容纳导线的槽，槽的形状为V形、梯形、U形、弧形、方形或其组合的凹槽、凹坑或者通孔，然后再在其上制作金属电极，从而实现百微米...

本发明涉及一种芯片的片上导线直接引出结构及制作方法，属于电子器件类。本发明特征在于使用微加工方法，在硅片表面形成一个容纳导线的槽，槽的形状为V形、梯形、U形、弧形、方形或其组合的凹槽、凹坑或者通孔，然后再在其上制作金属电极，从而实现百微...

本发明提供一种压力传感器制作方法及其结构，至少包括以下步骤：提供一硅衬底以及另一硅片结构；采用键合方法，将该硅片结构封在硅衬底的压力腔定位环上；硅片结构的氧化硅层与硅衬底接触；通过化学机械减薄方法将该顶层硅减薄抛光至所需厚度；在顶层硅上...

本发明涉及一种小型长光程红外气体传感器模块，主要包括红外光源(2)、热电堆探测器(6)、光学腔体/气室、红外光源电源引线连接板(1)、探测器信号引线连接板(8)、主电路板(7)。所述光学腔体为多次反射结构，包括腔体上盖(3)和腔体下盖(...

本发明涉及一种侧壁进/出气的红外气体传感器，依次包括敏感头、信号采集模块、信号处理模块、信号显示模块。其特征在于所述的敏感头具有侧壁进/出气，包括防尘罩1、具有侧壁进/出气兼具光学通道和气室功能的腔体2、反光镜3、反光镜4、热电堆探测器...

本发明涉及一种硅压阻式压力传感器封装结构，包括一容纳具有输出端的压力传感器芯片的箱体和密封盖板。该箱体具有一个带导压管道的底板，该底板分为导压孔和支撑传感器芯片区。底板支撑传感器芯片区的四周为带引线框的箱体壁，引线框形成多个要连接到输出...

本发明涉及一种在（１００）硅片上采用双面对穿腐蚀制造的薄膜器件结构及其制造方法。其特征在于硅片正面是具有特定组合结构腐蚀窗口的薄膜器件结构层和功能层，硅片反面是矩形腐蚀窗口；中间是双面对穿腐蚀形成的空腔。关键在于正反两面腐蚀窗口的结构设...

本发明涉及一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“Ｖ”字形或倒梯形结构的凹槽形加热区支撑膜通过支撑悬梁与衬底框架相连；上加热电阻丝和下加热电阻丝相连形成嵌入在加热区支撑膜内的螺管式加热电阻并通过支撑悬梁上...

本发明涉及一种基于基板的硅压阻式压力传感器封装结构。其特征在于基板是一块有金属图形分布的双面基板，基板底部的金属图形为压力传感器与外界连接的输入输出端口，通过中间过孔和边缘半孔实现基板双面金属图形的电气互连；硅压阻式压力传感器芯片贴装在...