一种高频段微波二极管，以Ｐ＃＋［＋］Ｐ（或Ｎ＃＋［＋］Ｎ）型单晶硅为基底，在所述基底上沉积富氢微晶硅薄膜与单晶硅形成异质结，通过调节富氢微晶硅薄膜的各项参数，可以得到在较高工作温度下正常工作的高频段微波二极管，并且其响应速度快、制作工艺...

本发明是一种制备绝缘体上硅结构的方法，所述的方法属于半导体器件制备工艺。本发明利用化学汽相沉淀方法，在绝缘层上生长一层富氢微晶硅薄膜，从而形成性能良好的绝缘体上硅结构，本发明所述的方法与传统的集成电路工艺兼容，工艺简单，成本低廉。

一种半导体压力传感器，由衬底层组成，其特征在于：在所述的衬底层上方设置有隔离层、压阻层，所述的衬底层是单晶硅层，所述的隔离层是二氧化硅层，所述的压阻层是微晶硅薄膜层。