本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型漂移区、P型阱区、栅极结构、N型漏区、N型源区、介质层及漏区电极，所述N型漏区形成于所述第一栅单元及所述第二栅单元外侧的所述N型漂移区中，所述N型源区形成于所述第一栅单元及所...

本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构、N型源区、介质层及源区电极。所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触...

本发明提供一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、栅极结构、N型源区、P型基材层、N型掺杂区、介质层及源区电极。介质层中形成有源区接触窗口，源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接...

本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构及侧墙、N型源区、P型导电区、介质层及源区电极。所述P型导电区形成于所述N型源区的下部，所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显...

本实用新型公开了一种扁平热管型LED电源，包括壳体、电路板、LED电源模块、热沉、扁平热管、散热箱、散热翘片、水箱、水泵、半导体散热器、爆氧机、导流管、雾化喷头、气体喷嘴、气管、导流孔、圆形孔、方形孔、防水透气膜和控制板，壳体的内部安装...

本实用新型公开了一种节能型方便安装的整流器，包括箱盖、底座、旋转卡槽、电线接口、卡扣、卡座、复位弹簧、推杆、通风口、箱体、导向槽、整流器本体、旋转轴、螺帽、PLC控制器、推槽、温度传感器、扇叶、旋转电机、隔离板、集灰道、传送带、出灰口和...

本实用新型公开了一种高压MOS开关电源，包括防水板、减震座、吸水棉球、电源盒、电路板、缓冲垫、防撞弹簧、充气圆垫、卡槽、导热柱、连接块、散热网、防辐射罩、数据接口、吸水条、指示灯、按钮、电磁线圈、电源开关和衔铁，电源盒的外部安装有防水板...

本实用新型公开了一种集成型MOS电源开关，包括电源箱、箱盖、显示屏、端口、启动开关、支撑柱、显示灯、拉手、橡胶垫、散热口、接线口、消声器、降噪海绵、导电海绵、凹口、空气囊、隔板、滑杆、支撑杆和减震弹簧，电源箱的一侧安装有显示屏，所述显示...

本实用新型公开了一种集成型电源开关，包括开关盒、网线口、按钮、进线盒、指示灯、USB充电口、插座、开关按钮、进线盒前盖、卡槽、网线出口、电线出口、固定孔、卷线轮、固定翼、网线进口、电线进口、电动机、固定柱、分线口、开关盒后盖、卡条和绝缘...

本实用新型提供一种用于锂电保护的开关器件，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有第一接触窗口及第二接...

本实用新型公开了一种动态特性高的MOSFET电容结构，包括连接块、第一接线端、固定块、螺线管、通电线圈、第二接线端、旋转开关、磁石、壳体、散热孔、电容芯子、防护罩、温度传感器、PLC控制器、导管、集油箱、散热器、漏电流传感器、警报器、后...

本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有第一接触窗口...

本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有两个源区接触...

本发明还提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；沟槽，形成于体接触区域；金属硅化物，...

本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，包括：P+型衬底及P‑型外延层；第一绝缘沟槽，形成于体接触区域；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，其打开有...

本发明提供一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，包括：1）于P型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道区区域上方制作具有间隔排列的多个窗口的第一掩膜，离子注入以于所述P型衬底中形成具有起伏的N型区域；2）于所述N型区域中制作出场氧化层...

本发明提供一种集成结型场效应晶体管的自举电路及自举方法，所述自举电路包括：驱动电路、结型场效应晶体管、自举电容、高边晶体管、以及低边晶体管；所述驱动电路的第一输出端连接于所述高边晶体管的栅极、第二输出端连接于所述低边晶体管的栅极、第三输...

本发明的提供一种超级势垒整流器结构及其制作方法，所述超级势垒整流器结构，至少包括：N+型衬底；N-型外延层，结合于所述N+型衬底表面；栅氧层；结合与所述N-型外延层的部分表面；P-型体区，形成于所述栅氧层两侧下方的N-型外延层中；以及金...

本发明提供一种场终止型IGBT器件的制造方法，包括：1）提供一N-型半导体衬底，基于所述N-型半导体衬底进行IGBT制备的正面工艺，包括：制作栅极结构、P阱、N+型源区、具有接触孔的介质层、以及用于连接所述P阱及N+型源区的P+型接触区...

本发明提供一种逆导型IGBT器件的制备方法，首先提供一半导体衬底，通过外延工艺及离子注入及退火工艺于所述半导体衬底表面形成重掺杂P型区及重掺杂N型区，以制备出IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极；然后于上述结构表面外延N型漂移区；接着...