其表面上具有由碳化硅、玻璃碳或热解碳构成的覆层(12；52)的一种保持架(10；50)，用于生产该保持架的方法和该保持架在等离子体驱动汽相淀积中的使用。

制作一面被平滑化蚀刻的硅太阳能电池的方法，其中一个硅基底的正面和背面被蚀刻（10）以形成平滑的纹理，一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上（14，16），且所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化（20），形成在所述硅基底的...

太阳能电池（11；21；31），其具有设置在太阳能电池（11；21；31）的背面的介电覆层；所述介电覆层至少部分地被至少一个平面触头（12；22；32）所覆盖，而该所述至少一个平面触头（12；22；32）的一条边界线（14；24；34）...

制造包括选择性发射极的太阳能电池的方法，包括：在太阳能电池基底（50）的一个表面的至少一部分上形成（10，12，14）含掺杂物的玻璃层（55）；在太阳能电池基底（50）被玻璃层（55）所覆盖的区域上，通过把掺杂物从玻璃层（55）扩散到太...

用于掺杂半导体基底（50）的方法，其中所述半导体基底（50）被激光辐射（60）照射（14）且同时来自一个掺杂物源（54）的掺杂物被扩散到被加热区（52）内的半导体基底（50）中，且其中当半导体基底（50）被激光辐射（60）的照射（14）...

用于制造太阳能电池（70）的方法，其中包括介电层（74，76）的一个叠层（74，76）被加到（14，16；54，56）一个太阳能电池基底（72）的背面，且该叠层（74，76）被加热和保持在至少700°C的温度下至少5分钟。本发明还涉及一...

具有两级掺杂(88，89)的太阳能电池的制造方法，包括：在太阳能电池基底(80)的表面的至少一部分上形成一氧化物层(82)，该氧化物层可被一种第一掺杂物所穿过；通过除去在至少一个高掺杂区(88)中的氧化物层(82)，在该高掺杂区(88)...