本发明涉及制造硅或硅－锗光电池应用的新的非常规方法和系统。在一些实施方案中，通过热等离子化学蒸气沉积方法或热等离子喷雾技术，硅（或硅锗）的高纯度气体和／或液体中间体化合物直接转化成多晶薄膜。硅（或硅锗）的中间体化合物注入２０００Ｋ至约２...