单片式边缘发射半导体激光器，包括多个激光二极管，使用砷磷化铝铟镓AlInGaAs/InGaAsP/InP材料系统，以长波长(1250nm至1720nm)发射。每一个激光二极管包括有源区，该有源区包括铝铟镓砷量子阱(AlInGaAs QW...

本发明涉及自对准组装和半导体激光器包装系统，其可以减少高功率密度系统的时间、成本和检测费用。如改进的TO-罐形（晶体管外形的罐）激光器包装安装系统(100)，对其进行的改进增加了自主动激光器向换热器或其他换热器(103)的传热。预制换热...