根据本发明的一种情况，提供了一种染料敏化太阳电池，它包括：具有透光性质的第一衬底；包含敏化染料且安置成其第一表面面对第一衬底的半导体电极；排列在半导体电极的第二表面上的第一收集电极；安置成与第一收集电极相接触的绝缘层；安置成其第一表面面...

本发明提供一种热层压时不易产生电池的密封破坏的电磁内置型ＩＣ卡的制造方法。本发明的ＩＣ卡的制造方法，包括：电池收容工序，在设有贯通孔（７９ａ）的芯板（７２）上，使内板（７３）和第１护板（７４）叠合而形成收容电池用的空腔（７９），并将薄型...

根据本发明的一个方面，提供了一种染料增敏太阳能电池，其包括第一基础元件、多孔绝缘层和第二基础元件，其中第一基础元件具有第一透光性基片、在第一基片的表面上形成的透光性导电层、含有增敏染料并且布置在透光性导电层表面上的第一半导体电极、含有增...

本发明在于提供具有高的压电应变常数ｄ↓［３３］，并具有高的耐热性的、适宜用作震动传感器元件的无铅压电陶瓷材料。特别是提供具有压电应变常数ｄ↓［３３］为１００ｐＣ／Ｎ或更高，且在１５０℃放置７２小时的高温试验中压电应变常数ｄ↓［３３］的降...

一种布线基板，其中在芯基板的主面上层叠含导体层和树脂层的布线层叠部分，芯基板含在穿通其延伸的通孔中的基本上圆柱形的通孔导体和填充所述通孔中空部分的填充材料，包括：覆盖在所述芯基板主面上的所述通孔端面并连接到所述通孔导体的盖形导体部分；和...

一种布线基板，其中在芯基板的主面上层叠含导体层和树脂层的布线层叠部分，芯基板含在穿通其延伸的通孔中的基本上圆柱形的通孔导体和填充所述通孔空部分的填充材料，包括：覆盖在所述芯基板主面上的所述通孔端面并连接到所述通孔导体的盖形导体部分；和在...

提供一种中间基板，具有基板芯，该基板芯由芯主体部和陶瓷副芯部构成，上述芯主体部由高分子材料构成，呈板状，在第一主表面上以减少自身厚度的方式开口形成副芯收纳部，上述陶瓷副芯部由陶瓷构成，呈板状，以和芯主体部在厚度方向上一致的形式收纳在副芯...

本发明提供一种布线基板的制造方法，仍然使用Ｐｂ含量低的Ｓｎ系列高温焊料，但能均匀地覆盖Ｃｕ系列的焊盘表面。按如下顺序实施：预镀工序，在开口部（１８ｈ）内形成焊料抗蚀剂层（１８）并使金属焊盘（１７）的主体层（１７ｍ）露出，用Ｓｎ系列预镀层...

本发明的目的是提供一种基本上不含铅的压电陶瓷组合物，其具有优良的压电性能，且具有高的耐热性；和提供一种包括所述组合物的压电元件。该压电陶瓷组合物含Ｍ１（二价金属元素，或在形式上等同于二价金属元素的金属元素组合）；Ｍ２（四价金属元素，或形...

一种多层压电元件，其包括：至少一个压电层单元，其具有在第一方向上交替堆叠在一起的烧结压电陶瓷层和电极层；以及定位构件，当所述至少一个压电层单元以封闭构件沿着垂直于第一方向的第二方向封闭所述至少一个压电层单元的周边的方式放在封闭构件中时，...

一种接线板（１，１ａ，２０，２０ａ）具有：板体（２，２２），所述板体包括绝缘材料并具有前面（３，２３）、背面（４，２４）、具有位于板体（２，２２）的前面（３，２３）中的开口并且具有底面（６，２６）和侧面（７，２７）的腔（５，２５）、和设...

一种带有加强构件的配线基板，包括：树脂配线基板，其具有基板主面、基板背面和基板侧面，形成平面图中具有四个侧边的矩形形状，并包括树脂绝缘层和导体层；以及加强构件，其形成围绕所述树脂配线基板四个侧边的矩形框架形状，并设置有内壁，所述内壁具有...

一种开关（１），包括有陶瓷圆筒管（３）、沿轴向覆盖陶瓷圆筒管（３）的开口端部的第一和第二端帽（５、７）、在第一端帽（５）上易于滑动的可移动电极（９）和固定到第二端帽（７）上的固定电极（１１）。所述陶瓷圆筒管（３）是焙烧的陶瓷本体，其含有...

叠层陶瓷电容器（１０）可分成第一叠层（１１）、第二叠层（１２）、第三叠层（１３）和第四叠层（１４）。第一叠层（１１）包括用作介电层的陶瓷层（１５）。陶瓷层（１５）比夹在第二叠层（１２）或者第四叠层（１４）中的内部电极（１６ａ）之间的陶瓷...

一种减小电感的多层陶瓷电容器（１０），可分为第一层基体（１１）和第二层基体（１２），通过交替层叠内部电极（１３ａ、１３ｂ）从而使其彼此相对并中间夹有陶瓷层（１４）而形成第一层基体（１１）和第二层基体（１２），第二层基体（１２）的陶瓷层（...

一种导电性氧化物烧结体，其含有钙钛矿相并具有由式Ｍ１↓［ａ］Ｍ２↓［ｂ］Ｍ３↓［ｃ］Ａｌ↓［ｄ］Ｃｒ↓［ｅ］Ｏ↓［ｆ］表示的经验式，其中Ｍ１表示除Ｌａ之外的３Ａ族元素的至少一种元素；Ｍ２表示２Ａ族元素的至少一种元素；Ｍ３为除Ｃｒ之外４Ａ...

一种热敏电阻元件，包括热敏电阻主体和覆盖该热敏电阻主体的抗还原涂层。该热敏电阻主体含有由组成化学式ＡＢＯ↓［３］表示的钙钛矿型晶体结构的钙钛矿相，其中Ａ是至少一种Ａ－位置元素，Ｂ是至少一种Ｂ－位置元素。抗还原涂层由含有所述至少一种Ａ－位...

本发明在于提供不含有铅，可得到大的压电应变常数的压电陶瓷。进而，提供具有大的压电应变常数，且其温度依存性低的压电陶瓷。本发明的压电陶瓷含有Ｂａ、Ｂｉ、Ｎａ、Ｔｉ及Ｏ，摩尔比满足０．９９０＜Ｂｉ／Ｎａ≤１．０１，且Ｂａ／Ｂｉ＝２ｘ／（ａ－...

本发明提供了一种不含贵金属钽的介电瓷组合物，其中将介电常数ε↓［ｆ］约为３０，无负荷质量系数Ｑ值大以及谐振频率的温度系数ι↓［ｆ］的绝对值比较小的ＢＭＮ系统材料作为基底材料。本发明还涉及一种主结晶相为复合钙钛矿型晶体结构氧化物的介电材料...

提供新的介电体陶瓷材料，其显示出介电损失和共振频率温度系数小的介电特性，可以在更低的烧结温度下获得。在（１００－ａ）［Ｂａ↓［ｕ］｛（Ｚｎ↓［ｖ］Ｃｏ↓［１－ｖ］）↓［ｗ］Ｎｂ↓［ｘ］｝Ｏ↓［δ１］］－ａ［Ｍ↓［ｙ］Ｔａ↓［ｚ］Ｏ↓［δ...