包括沟道停止区的半导体器件。此处描述的半导体器件包括在第二导电性的沟道区域的第一侧与沟道区域邻接的第一导电类型的本体区域。第一导电类型的栅极控制区域在与第一侧相对的沟道区域的第二侧与沟道区域邻接，沟道区域配置成通过在栅极控制区域和本体区...