本发明涉及电力系统建模及分析技术领域，尤其一种基于开关周期平均原理的统一潮流控制器UPFC等效建模方法，包括：基于模块化多电平换流器MMC的统一潮流控制器UPFC模型由静止同步串联补偿器SSSC和并联的静止同步补偿器STATCOM构成，...

本发明提供了一种高压大功率电力电子器件的无线能量传输供能系统，该系统包括依次连接的能量输入模块、能量输出模块、电源装换装置、分布式传输系统和断路器功率器件模块，其特征在于，所述能量输入模块和能量输出模块的连接方式为无线能量传输连接，分布...

本发明提供了一种提高VSC连接交流弱电网稳定性的双闭环阻尼控制系统，该系统包括：依次连接的外环功率补偿阻尼控制算法模块、电流内环解耦阻尼控制算法模块、参考电压坐标系转换模块、阀控器模块和等值模型模块，所述等值模型模块分别与锁相环模块、电...

本发明提供了一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外...

本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后...

本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后...

本实用新型提供了一种换流阀模块用FEP软管接头组件，该组件包括FEP软管、底壁设有轴向通孔的筒状散热器和固定件，散热器的底壁设有与所述通孔同轴心的管状电极；FEP软管套装在所述电极上；FEP软管与散热器底壁接触一端设有环形凸台；固定件设...

本发明提供了一种碳化硅超结二极管及其制备方法，所述制备方法包括在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用高温高能离子注入方法向外延薄膜的上表面注入离子，形成超结结构；分别在外延薄膜的上表面和碳化硅衬底的背面淀积金属，形成第一金属电极和第二金...

本发明提供了一种碳化硅MOS栅控功率器件及其制备方法，所述制备方法包括在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用倒掺杂型离子注入法向所述外延薄膜的上表面注入离子，形成倒掺杂阱区；向倒掺杂阱区注入离子分别形成源极接触区和基极接触区；在外延薄膜...

本发明提供了一种基于预测数据的变压器预警评估方法及装置，其方法包括：基于获取的训练样本数据，建立气体浓度的预测模型；根据预测模型获得的预测数据，建立模糊相似矩阵，得到预警阈值；根据预警阈值和国标限值确定警告范围，实现预警报告或不报告。本...

本发明提供了一种高铁电能质量分析数据择取的联合聚类方法和装置，该法包括删除预先给定数据集中含有空值的电能质量监测记录，并选定特征谐波；将原始数据编排成矩阵形式，并按有功功率的95统计值、平均速度和特征谐波对数据归一化处理；将归一化后的代...

本发明提供了一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件，所述方法包括在衬底的正面形成栅极电介质层，并在该栅极电介质层上顺次形成石墨烯层和栅电极；在栅电极上形成栅极接触孔，并在衬底的正面中暴露于栅极电介质层以外的区域上形成第一接触孔；向栅...

本发明提供了一种接触电极制备方法及MOSFET功率器件，所述方法包括在衬底的正面形成所述接触电极的接触孔；在接触孔内形成石墨烯层，并向石墨烯层填充金属分别形成栅极接触电极和第一接触电极；在衬底的背面淀积金属，形成第二接触电极；所述MOS...

本发明涉及一种基于电力作业场景的情景信息模型构建方法及系统，构建方法包括下述步骤：(1)采集情景信息，(2)情景信息分类，(3)信息模型构建，(4)形成电力作业情景感知系统及场景应用。本发明基于电力作业场景的情景信息模型，通过从人、辅助...

本发明属于电力系统次同步振荡分析与抑制技术领域，具体涉及一种基于电流信号反馈的抑制火电机组次同步振荡方法。包括：基于锁相环对交流线路电流信号进行锁相，得到电流相角，以电流相角为变换角进行abc‑dq变换，得到次同步频率电流偏差信号；设计...

本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法，所述制备方法包括向N型衬底中与沟槽栅结构正下方对应的N‑漂移区注入P型离子，形成浮置P区；分别在N型衬底的正面和背面淀积金属层，形成发射极和集电极；所述沟槽型IGBT采用上述制备方法制造。与现...

本发明提供了一种智能园区能源利用方案综合评价方法及装置，该方法包括根据预先建立的评价指标体系的评价矩阵，构造标准评价矩阵；根据标准评价矩阵用熵权法计算各指标的权值；根据各指标的权值计算综合效果指标；分析比较各方案的综合效果指标中的相对接...

本发明提供了一种SF6气体传感器，其包括：带有通气孔的硅尖阵列负电极(1)、带有通气孔的平面网状正电极(2)以及隔离硅尖阵列负电极(1)和平面网状正电极(2)的绝缘材料(3)；所述SF6气体传感器是按下述方法制备：用MEMS工艺以单晶硅...

本发明提供了一种电能质量数据的存储和检索方法，该存储方法将电能质量数据划分为行和列；将已划分的数据用数据块形式存储于网格式逻辑结构图；该检索方法包括根据选定的检索方式检索存储模型中的数据；根据检索方式的行标和列标与存储模型逐一匹配确定数...

本发明提供了一种横向元胞结构的功率器件终端结构及其制作方法，以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为例，该结构包括衬底、背面掺杂区、正面掺杂区、隔离绝缘层、发射极、集电极、栅电极结构。本发明提供的一种横向元胞代替终端的垂直型功率芯片结构设计及...