本实用新型涉及一种氧化物单晶真空电阻生长炉，包括炉体、上炉腔、下炉腔、进料装置、回收管道、观察窗、隔离阀、坩埚、电极、加热器、绝缘层、进料装置、籽晶、位移电机、升降杆、位移检测器、重力传感器、温度传感器、报警器、可编程控制器、真空泵、保...

本发明属于单晶体材料制备技术领域，具体公开了一种大尺寸单质晶体的分阶段提拉制备方法。本发明方法是首先熔化原料形成稳定流动的熔体，将籽晶缓慢浸入熔体后进行洗晶处理，其次旋转籽晶并向上提拉完成引晶，然后间歇式分阶段提拉晶体至生长结束，最后分...