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P·哈约兹专利技术
P·哈约兹共有1项专利
吡咯并吡咯衍生物、其制备及作为半导体的用途制造技术
本发明涉及一种式I化合物,其中各取代基如权利要求1所定义,及其在有机器件如二极管、有机场效应晶体管和/或太阳能电池中作为有机半导体的用途。所述式I化合物在有机溶剂中具有优异的溶解性。当将所述化合物用于半导体器件或有机光伏(PV)器件(太...
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